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公开(公告)号：CN116913757A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310203784.7
申请日：2023-03-06
Applicant: 三星电子株式会社 , 浦项工科大学校产学协力团
Inventor： 金珉廷 , 文亨硕 , 申承求 , 朴相晃 , 尹惠珠
IPC: H01L21/02
Abstract: 一种基板处理方法包括：在基板上形成硅膜；利用微波照射硅膜；以及将硅膜浸泡在液态重水中。
