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公开(公告)号：CN118016682A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202311476199.0
申请日：2023-11-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种用于CMOS图像传感器的像素单元包括将像素晶体管区域与像素光电二极管区域隔离的隔离结构。在图像传感器的前侧处，隔离结构包括第一浅沟槽隔离(STI)结构、第二STI结构、在第一STI结构和第二STI结构之间的半导体区域以及由p型半导体形成的注入区域，该注入区域与半导体区域接触并朝向图像传感器的背侧延伸。半导体区域由第一类型半导体形成。在图像传感器的背侧处，隔离结构包括从背侧朝向前侧延伸并接触注入区域的沟槽隔离结构。
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