Patent search ap:("三星电子株式会社") AND inv:"黄夏敏" Page 1

1.

发明公开
半导体存储器器件和包括半导体存储器器件的电子系统审中-实审

公开(公告)号：CN114765185A

公开(公告)日：2022-07-19

申请号：CN202111477154.6

申请日：2021-12-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄夏敏 , 金钟秀 , 林周永 , 赵源锡

IPC: H01L27/11582 , H01L21/768

Abstract: 一种半导体存储器器件，包括：第一衬底，包括第一区域和第二区域；堆叠结构，仅在第一衬底的第一区域和第二区域中的第一衬底的第一区域上，堆叠结构包括字线；层间绝缘膜，覆盖堆叠结构；虚设导电结构，在层间绝缘膜内部，虚设导电结构延伸穿过堆叠结构以与第一衬底接触；以及板接触插塞，在层间绝缘膜内部，板接触插塞与第一衬底的第二区域连接，并且虚设导电结构的上表面相对于第一衬底的上表面的高度大于板接触插塞的上表面相对于第一衬底的上表面的高度。

Patent Agency Ranking