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公开(公告)号：CN118298887A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202311272254.4
申请日：2023-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C29/00
Abstract: 公开了半导体存储器装置和操作半导体存储器装置的方法。所述半导体存储器装置包括：多个存储器单元，被划分为多个行块；以及行解码器，包括修复控制器，修复控制器在其中具有与所述多个行块中的相应的行块对应并且包括被配置为存储第一缺陷地址的第一熔丝盒的多个熔丝盒。修复控制器被配置为：(i)在第一模式期间，响应于将第一存取地址与从第一熔丝盒输出的第一缺陷地址进行比较而激活第一冗余字线，第一冗余字线用于替换由第一缺陷地址指定的第一缺陷字线，并且(ii)在第二模式期间，响应于将第一存取地址与从第一熔丝盒输出的第一复位地址进行比较而激活第二冗余字线，第二冗余字线用于替换由第一存取地址指定的第一边缘字线。
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