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公开(公告)号：CN115411059A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202210507594.X
申请日：2022-05-10
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 拉德瓦努尔·哈桑·斯迪克 , 王一兵 , 马哈达·曼索里
IPC: H01L27/146 , H04N5/369
Abstract: 公开了一种用于成像传感器的像素，所述像素包括光电检测器和超表面。光电检测器包括第一表面和从第一表面沿第一方向延伸到光电检测器中的侧壁。超表面形成在第一表面上并且包括纳米结构，该纳米结构使预定波长范围的光从与第一表面基本垂直的方向以背对的角度弯曲至少70度，并且驻波图案形成在像素的有源区中。光的预定波长范围包括700nm至1100nm，并且包括700nm至1100nm。在一个实施例中，像素是硅基光电检测器，像素在第一方向上的厚度小于或等于5μm，并且像素吸收预定波长范围的光的功率的至少20％。
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