公开(公告)号：CN118588539A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202410148807.3

申请日：2024-02-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑祥教 ,  韩承憙 ,  李瑟琪 ,  李讚美

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/027

Abstract: 用于制造半导体装置的方法包括：在具有第一区域至第三区域的基底上堆叠蚀刻目标层和蚀刻掩模层；在第一区域和第二区域中的蚀刻掩模层上形成第一光致抗蚀剂图案，并且形成用于完全覆盖第三区域中的第三掩模层的第二光致抗蚀剂图案；使用第一光致抗蚀剂图案和第二光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模来对蚀刻掩模层进行蚀刻，以在第一区域和第二区域上形成第一掩模图案并且在第三区域上形成第二掩模图案；在第二区域上的第一掩模图案之间的第一开口中形成填充图案；使用第一掩模图案、第二掩模图案和填充图案作为蚀刻掩模来对蚀刻目标层进行蚀刻，以在第一区域上形成包括第二开口的第一图案以及覆盖基底的第二区域和第三区域的体图案。

公开(公告)号：CN116544109A

公开(公告)日：2023-08-04

申请号：CN202310086298.1

申请日：2023-02-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑祥教 ,  李赞美 ,  李河英 ,  千广熙 ,  韩承憙

IPC: H01L21/308 ,  H01L21/311 ,  H10B12/00

Abstract: 一种制造半导体器件的方法，包括：通过使用第一材料在特征层上形成多个参考图案和外围图案，使得外围图案连接到多个参考图案的端部；通过使用第二材料在多个参考图案中的每一个参考图案的两个侧壁上形成多个第一间隔物；去除多个参考图案；通过使用第一材料在多个第一间隔物中的每一个第一间隔物的两个侧壁上形成多个第二间隔物；去除多个第一间隔物，使得多个第二间隔物和外围图案保留在特征层上；以及通过使用多个第二间隔物和外围图案作为蚀刻掩模来图案化特征层。