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公开(公告)号：CN109509490A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201910018564.0
申请日：2017-01-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种用于控制非易失性存储器件的方法包括：从该非易失性存储器件中请求多个第一采样值，该第一采样值中的每个采样值表示具有在第一采样读电压和第二采样读电压之间的测量阈值电压的存储器单元的数量。通过非线性滤波操作处理该第一采样值来估计在第一采样读电压和第二采样读电压之间的测量阈值电压的存储器单元的数量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108735253A
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201710260714.X
申请日：2017-04-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/10
Abstract: 提供了一种非易失性存储器存储系统。非易失性存储器存储系统包括多个存储器单元和存储器控制器，存储器控制器被配置为基于多个读取电压向非易失性存储器装置传输读取命令。非易失性存储器装置基于所述多个读取电压之中的第一读取电压对N个电平之中的第一电平执行第一读取操作，对所述多个存储器单元之中的响应于第一读取电压的导通单元的数量进行计数，根据导通单元的计数的数量与参考单元的数量的比较结果调整所述多个读取电压之中的将要用于对所述N个电平之中的第一电平或第二电平执行第二读取操作的第二读取电压的电平。
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公开(公告)号：CN109509490B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201910018564.0
申请日：2017-01-12
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了非易失性存储器系统及其控制方法。一种非易失性存储器系统包括：非易失性存储器件，包括多个存储单元，多个存储单元构成多个存储块并且每个存储块包括多个页；以及存储器控制器，被配置为施加位于第一读电平的读电压以从多个存储单元当中的所选择的存储单元读数据，在施加导致读失败时传输命令到非易失性存储器件以请求特定电压范围的多个采样值，其中多个采样值中的每一个与具有位于特定电压范围的阈值电压的所选择的存储单元的数量相对应，响应于命令从所述非易失性存储器件接收采样值，施加非线性滤波到所接收的采样值以生成经滤波的值，以及基于经滤波的值将读电压设置为第二读电平，其中，经滤波的值中的每一个指示具有位于特定电压范围的阈值电压的所选择的存储单元的数量，并且非易失性存储器件还包括用于生成采样值的位计数器。
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公开(公告)号：CN108735253B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN201710260714.X
申请日：2017-04-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/10
Abstract: 提供了一种非易失性存储器存储系统。非易失性存储器存储系统包括多个存储器单元和存储器控制器，存储器控制器被配置为基于多个读取电压向非易失性存储器装置传输读取命令。非易失性存储器装置基于所述多个读取电压之中的第一读取电压对N个电平之中的第一电平执行第一读取操作，对所述多个存储器单元之中的响应于第一读取电压的导通单元的数量进行计数，根据导通单元的计数的数量与参考单元的数量的比较结果调整所述多个读取电压之中的将要用于对所述N个电平之中的第一电平或第二电平执行第二读取操作的第二读取电压的电平。
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公开(公告)号：CN107025945A
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201710022359.2
申请日：2017-01-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/34
CPC classification number: G11C16/26 , G06F3/061 , G06F3/0653 , G06F3/0659 , G06F3/0679 , G11C7/02 , G11C11/5642 , G11C16/0466 , G11C16/0483 , G11C16/28 , G11C29/021 , G11C29/028 , G11C29/50004 , G11C2029/0409 , H05K999/99 , G11C16/3404
Abstract: 一种用于控制非易失性存储器件的方法包括：从该非易失性存储器件中请求多个第一采样值，该第一采样值中的每个采样值表示具有在第一采样读电压和第二采样读电压之间的测量阈值电压的存储器单元的数量。通过非线性滤波操作处理该第一采样值来估计在第一采样读电压和第二采样读电压之间的测量阈值电压的存储器单元的数量。
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