公开(公告)号：CN110544622B

公开(公告)日：2024-08-27

申请号：CN201910449558.0

申请日：2019-05-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 闵太泓 ,  黄灿

IPC: H01L21/027 ,  H01L23/544

Abstract: 提供一种制造半导体装置的方法和一种形成套刻键图案的方法。所述制造半导体装置的方法包括提供包括第一区域和第二区域的基底。所述方法包括在基底上形成第一层。第一层具有在第一区域上的第一孔和在第二区域上的第二孔。所述方法包括在第一孔和第二孔中形成第二层。所述方法包括在基底的第二区域上形成掩模图案。所述方法包括对第二层进行抛光，以在第一孔中形成图案并且在第二孔中形成套刻键图案。套刻键图案的顶表面比第一孔中的图案的顶表面更远离基底。

公开(公告)号：CN110544622A

公开(公告)日：2019-12-06

申请号：CN201910449558.0

申请日：2019-05-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 闵太泓 ,  黄灿

IPC: H01L21/027 ,  H01L23/544

Abstract: 提供一种制造半导体装置的方法和一种形成套刻键图案的方法。所述制造半导体装置的方法包括提供包括第一区域和第二区域的基底。所述方法包括在基底上形成第一层。第一层具有在第一区域上的第一孔和在第二区域上的第二孔。所述方法包括在第一孔和第二孔中形成第二层。所述方法包括在基底的第二区域上形成掩模图案。所述方法包括对第二层进行抛光，以在第一孔中形成图案并且在第二孔中形成套刻键图案。套刻键图案的顶表面比第一孔中的图案的顶表面更远离基底。