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公开(公告)号：CN110416061B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN201910292773.4
申请日：2019-04-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/336 , C23C16/04 , C23C16/30 , C23C16/455
Abstract: 提供了一种形成低k层的方法和形成半导体装置的方法，所述形成低k层的方法包括通过将硅源、碳源、氧源和氮源提供到基底上来形成层。形成层的步骤包括多个主循环，每个主循环包括提供硅源、提供碳源、提供氧源以及提供氮源，提供硅源、提供碳源、提供氧源和提供氮源中的每个执行至少一次。每个主循环包括交替执行提供碳源和提供氧源的子循环。
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