公开(公告)号：CN1542978A

公开(公告)日：2004-11-03

申请号：CN200410043024.1

申请日：2004-04-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成浩 ,  李来寅 ,  高光旭 ,  裵金钟 ,  金基喆 ,  金辰熙 ,  曹寅昱 ,  金相秀

IPC: H01L27/115 ,  H01L27/112 ,  G11C16/04

CPC classification number: H01L27/11568 ,  G11C16/0416 ,  G11C16/0466 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明公开了一种字节操作非易失性半导体存储装置，其能够一次擦除一个字节的已存储的数据。字节存储单元可包括多个1字节存储晶体管的存储单元陈列。该些1字节存储晶体管可以沿一个方向排列，其每一个包括形成在有源区中的结区和沟道区。字节存储单元可包括字节选择晶体管。该选择晶体管可以设置在有源区中，并且包括直接与每个该1字节存储晶体管的结相邻的结区。该字节选择晶体管可以垂直于该些1字节存储晶体管排列方向地设置在该些1字节存储晶体管的上面或下面。

公开(公告)号：CN1531095A

公开(公告)日：2004-09-22

申请号：CN200410001272.X

申请日：2004-01-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵金钟 ,  李来寅 ,  金相秀 ,  金基喆 ,  金辰熙 ,  曹寅昱 ,  金成浩 ,  高光旭

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/12 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L29/7923 ,  Y10S438/954

Abstract: 本发明公开了一种局部硅－氧化物－氮化物－氧化物－硅(SONOS)结构及其制造方法。该局部SONOS结构具有两片栅极和自对准氧化物－氮化物－氧化物(ONO)结构，包括：衬底；ONO结构，在衬底上；第一栅极层，在ONO结构上并与其对准；栅极绝缘体，在ONO结构旁的衬底上；以及，第二栅极层，在第一栅极层上和栅极绝缘体上。第一和第二栅极层彼此电连接。ONO结构、第一和第二栅极层一同限定了至少1位局部SONOS结构。相应的制造方法包括：设置衬底；在衬底上形成ONO结构；在ONO结构上形成第一栅极层并且第一栅极层与ONO结构对准；在ONO结构旁的衬底上形成栅极绝缘体；在第一栅极层和栅极绝缘体上形成第二栅极层；以及电连接第一和第二栅极层。

公开(公告)号：CN100367506C

公开(公告)日：2008-02-06

申请号：CN200410043024.1

申请日：2004-04-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成浩 ,  李来寅 ,  高光旭 ,  裵金钟 ,  金基喆 ,  金辰熙 ,  曹寅昱 ,  金相秀

IPC: H01L27/115 ,  H01L27/112 ,  G11C16/04

CPC classification number: H01L27/11568 ,  G11C16/0416 ,  G11C16/0466 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L27/0207 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11519 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11524 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明公开了一种字节操作非易失性半导体存储装置，其能够一次擦除一个字节的已存储的数据。字节存储单元可包括多个1字节存储晶体管的存储单元阵列。该些1字节存储晶体管可以沿一个方向排列，其每一个包括形成在有源区中的结区和沟道区。字节存储单元可包括字节选择晶体管。该选择晶体管可以设置在有源区中，并且包括直接与每个该1字节存储晶体管的结相邻的结区。该字节选择晶体管可以垂直于该些1字节存储晶体管排列方向地设置在该些1字节存储晶体管的上面或下面。

公开(公告)号：CN1326245C

公开(公告)日：2007-07-11

申请号：CN200410001272.X

申请日：2004-01-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵金钟 ,  李来寅 ,  金相秀 ,  金基喆 ,  金辰熙 ,  曹寅昱 ,  金成浩 ,  高光旭

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/12 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L29/7923 ,  Y10S438/954

Abstract: 本发明公开了一种局部硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(SONOS)结构及其制造方法。该局部SONOS结构具有两片栅极和自对准氧化物-氮化物-氧化物(ONO)结构，包括：衬底；ONO结构，在衬底上；第一栅极层，在ONO结构上并与其对准；栅极绝缘体，在ONO结构旁的衬底上；以及，第二栅极层，在第一栅极层上和栅极绝缘体上。第一和第二栅极层彼此电连接。ONO结构、第一和第二栅极层一同限定了至少1位局部SONOS结构。相应的制造方法包括：设置衬底；在衬底上形成ONO结构；在ONO结构上形成第一栅极层并且第一栅极层与ONO结构对准；在ONO结构旁的衬底上形成栅极绝缘体；在第一栅极层和栅极绝缘体上形成第二栅极层；以及电连接第一和第二栅极层。