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公开(公告)号：CN100505880C
公开(公告)日：2009-06-24
申请号：CN200510099042.6
申请日：2005-09-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N7/26
CPC classification number: H04N19/577 , H04N19/51 , H04N19/517 , H04N19/53 , H04N19/533 , H04N19/56 , H04N19/57 , H04N19/583
Abstract: 本发明提供了一种在视频编码器中基于使用重叠块的混合块匹配的运动估计方法，以及一种使用该方法来转换帧速率的装置。该方法包括：将当前帧分割成块并对从所分割的块中采样的块执行全搜索算法；基于通过全搜索所获得的运动矢量(iMV)，将通过线性内插所获得的运动矢量(fMV)分配给当前帧中未被采样的块；以及通过将通过线性内插所获得的运动矢量用作搜索起始点来执行快速搜索算法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100349465C
公开(公告)日：2007-11-14
申请号：CN200480001160.2
申请日：2004-08-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N7/01
Abstract: 这里公开一种基于输入隔行图像信号的相位校正场的自适应解隔行方法和设备。该方法包括：通过对输入的隔行图像信号的第k场的相位补偿1行频来产生相位校正的第k场；计算相位校正的第k场和隔行图像信号的第k-1场之间的第一运动矢量；计算隔行图像信号的第k-1场和第k+1场之间的第二运动矢量；和根据第一和第二运动矢量值确定输入图像是否存在运动，并且基于该结果和隔行图像信号的第k场产生第k逐行扫描帧。这样，通过更加精确地检测对应的插入的场的运动信息，在解隔行后锯齿现象被最小化。
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公开(公告)号：CN1750657A
公开(公告)日：2006-03-22
申请号：CN200510099042.6
申请日：2005-09-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N7/26
CPC classification number: H04N19/577 , H04N19/51 , H04N19/517 , H04N19/53 , H04N19/533 , H04N19/56 , H04N19/57 , H04N19/583
Abstract: 本发明提供了一种在视频编码器中基于使用重叠块的混合块匹配的运动估计方法，以及一种使用该方法来转换帧速率的装置。该方法包括：将当前帧分割成块并对从所分割的块中采样的块执行全搜索算法；基于通过全搜索所获得的运动矢量(iMV)，将通过线性内插所获得的运动矢量(fMV)分配给当前帧中未被采样的块；以及通过将通过线性内插所获得的运动矢量用作搜索起始点来执行快速搜索算法。
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公开(公告)号：CN1701610A
公开(公告)日：2005-11-23
申请号：CN200480001160.2
申请日：2004-08-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N7/01
Abstract: 这里公开一种基于输入隔行图像信号的相位校正场的自适应解隔行方法和设备，和存储用于执行这种方法的计算机程序的记录介质。该方法包括：通过对输入的隔行图像信号的第k场的相位补偿1行频来产生相位校正的第k场；计算相位校正的第k场和隔行图像信号的第k－1场之间的第一运动矢量；计算隔行图像信号的第k－1场和第k+1场之间的第二运动矢量；和根据第一和第二运动矢量值确定输入图像是否存在运动，并且基于该结果和第k场产生第k逐行扫描帧。这样，通过更加精确地检测对应的插入的场的运动信息，在解隔行后锯齿现象被最小化。
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公开(公告)号：CN111052409B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN201880053327.1
申请日：2018-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供制造发光二极管的方法。该方法包括：在衬底上形成半导体层；在半导体层上形成包括多个凹槽的掩膜层；分别在所述多个凹槽中形成多个纳米结构；通过刻蚀半导体层的外侧区域和所述半导体层层的与所述外侧区域不同的内侧区域，形成已刻蚀的区域；在半导体层的已刻蚀的区域上形成第一电极；在第一电极上形成绝缘层；以及在绝缘层和多个纳米结构上形成第二电极。
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公开(公告)号：CN111052409A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201880053327.1
申请日：2018-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供制造发光二极管的方法。该方法包括：在衬底上形成半导体层；在半导体层上形成包括多个凹槽的掩膜层；分别在所述多个凹槽中形成多个纳米结构；通过刻蚀半导体层的外侧区域和所述半导体层层的与所述外侧区域不同的内侧区域，形成已刻蚀的区域；在半导体层的已刻蚀的区域上形成第一电极；在第一电极上形成绝缘层；以及在绝缘层和多个纳米结构上形成第二电极。
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