公开(公告)号：CN112306396A

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN202010727504.9

申请日：2020-07-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正雨 ,  金东民 ,  金英文 ,  李京伯

IPC: G06F3/06

Abstract: 描述了一种包括非易失性存储器件的存储设备。该存储设备包括区域和控制器。控制器从外部主机设备接收写入命令和数据。控制器然后基于turbo写入策略优选地将数据写入与turbo写入相关联的区域中，或者基于正常写入策略将数据写入不与turbo写入相关联的区域中。控制器还从外部主机设备接收移动命令，并基于移动命令将存储在区域中的数据移动到其他区域。

公开(公告)号：CN119323020A

公开(公告)日：2025-01-17

申请号：CN202410919154.4

申请日：2024-07-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李度衡 ,  李明锺 ,  金英文 ,  金亨燮 ,  赵成燦

IPC: G06F21/44

Abstract: 提供了存储系统及其操作方法。所述存储系统包括：主机，被配置为：针对第一命令生成散列值，将所述散列值和随机值合并，并且针对合并后的数据和第一命令提供签名；以及存储装置，被配置为：将与第一命令对应的所述随机值存储在第一缓冲器中，将所述随机值提供给主机，从主机接收第一命令和签名，将签名存储在第二缓冲器中，验证签名，并且响应于验证完成，从第一缓冲器删除所述随机值并且执行第一命令。

公开(公告)号：CN101409107B

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：CN200810148926.X

申请日：2008-09-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴珠姬 ,  金英文 ,  朴允童 ,  李承勋 ,  赵庆来 ,  边成宰 ,  宋承桓

IPC: G11C16/12 ,  G11C16/34

CPC classification number: G11C11/5628 ,  G11C2211/5621 ,  G11C2211/5648

Abstract: 本发明提供了一种对非易失性存储单元编程的方法，所述方法包括：通过将非易失性存储单元的阈值电压设置为第一电压电平来对多位数据的第一位编程，所述第一电压电平在多个阈值电压分布中的第一阈值电压分布内。通过基于第二位的值将阈值电压设置为第二电压电平来对多位数据的第二位编程。如果第二位是第一值，则第二电压电平与第一电压电平相同，如果第二位是第二值，则第二电压电平在所述多个阈值电压分布中的第二阈值电压分布内。通过基于第三位的值将阈值电压设置为第三电压电平来对多位数据的第三位编程。

公开(公告)号：CN101409107A

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200810148926.X

申请日：2008-09-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴珠姬 ,  金英文 ,  朴允童 ,  李承勋 ,  赵庆来 ,  边成宰 ,  宋承桓

IPC: G11C16/12 ,  G11C16/34

CPC classification number: G11C11/5628 ,  G11C2211/5621 ,  G11C2211/5648

Abstract: 提供了一种对非易失性存储单元编程的方法，所述方法包括：通过将非易失性存储单元的阈值电压设置为第一电压电平来对多位数据的第一位编程，所述第一电压电平在多个阈值电压分布中的第一阈值电压分布内。通过基于第二位的值将阈值电压设置为第二电压电平来对多位数据的第二位编程。如果第二位是第一值，则第二电压电平与第一电压电平相同，如果第二位是第二值，则第二电压电平在所述多个阈值电压分布中的第二阈值电压分布内。通过基于第三位的值将阈值电压设置为第三电压电平来对多位数据的第三位编程。

公开(公告)号：CN112306396B

公开(公告)日：2024-10-18

申请号：CN202010727504.9

申请日：2020-07-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴正雨 ,  金东民 ,  金英文 ,  李京伯

IPC: G06F3/06

Abstract: 描述了一种包括非易失性存储器件的存储设备。该存储设备包括区域和控制器。控制器从外部主机设备接收写入命令和数据。控制器然后基于turbo写入策略优选地将数据写入与turbo写入相关联的区域中，或者基于正常写入策略将数据写入不与turbo写入相关联的区域中。控制器还从外部主机设备接收移动命令，并基于移动命令将存储在区域中的数据移动到其他区域。