-
公开(公告)号：CN111587419A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201980007993.6
申请日：2019-01-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种电子设备，包括包含电路的麦克风、包含电路的扬声器和电连接到麦克风和扬声器的处理器，其中，处理器被配置为，当通过麦克风输入了第一用户语音时，识别发出第一用户语音的用户，并通过扬声器提供通过将第一用户语音输入到经过人工智能算法训练的人工智能模型中而获取的第一响应声音，当通过麦克风输入了第二用户语音时，识别发出第二用户语音的用户，且如果发出第一用户语音的用户与发出第二用户语音的用户相同，则通过扬声器提供通过将第二用户语音和话语历史信息输入到人工智能模型中而获取的第二响应声音。特别是，提供对用户语音的响应声音的至少一些方法可以使用根据机器学习、神经网络或深度学习算法中的至少一种进行过学习的人工智能模型。
-
公开(公告)号：CN118732840A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410706581.4
申请日：2019-01-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种电子设备，包括包含电路的麦克风、包含电路的扬声器和电连接到麦克风和扬声器的处理器，其中，处理器被配置为，当通过麦克风输入了第一用户语音时，识别发出第一用户语音的用户，并通过扬声器提供通过将第一用户语音输入到经过人工智能算法训练的人工智能模型中而获取的第一响应声音，当通过麦克风输入了第二用户语音时，识别发出第二用户语音的用户，且如果发出第一用户语音的用户与发出第二用户语音的用户相同，则通过扬声器提供通过将第二用户语音和话语历史信息输入到人工智能模型中而获取的第二响应声音。特别是，提供对用户语音的响应声音的至少一些方法可以使用根据机器学习、神经网络或深度学习算法中的至少一种进行过学习的人工智能模型。
-
公开(公告)号：CN111587419B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN201980007993.6
申请日：2019-01-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种电子设备，包括包含电路的麦克风、包含电路的扬声器和电连接到麦克风和扬声器的处理器，其中，处理器被配置为，当通过麦克风输入了第一用户语音时，识别发出第一用户语音的用户，并通过扬声器提供通过将第一用户语音输入到经过人工智能算法训练的人工智能模型中而获取的第一响应声音，当通过麦克风输入了第二用户语音时，识别发出第二用户语音的用户，且如果发出第一用户语音的用户与发出第二用户语音的用户相同，则通过扬声器提供通过将第二用户语音和话语历史信息输入到人工智能模型中而获取的第二响应声音。特别是，提供对用户语音的响应声音的至少一些方法可以使用根据机器学习、神经网络或深度学习算法中的至少一种进行过学习的人工智能模型。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113066793A
公开(公告)日：2021-07-02
申请号：CN202011208051.5
申请日：2020-11-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L29/06
Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：位线结构，设置在基底上，每个位线结构包括位线和绝缘盖线；掩埋接触件，填充位线结构之间的空间的下部分；以及接合垫，填充所述空间的上部分，从掩埋接触件的上表面延伸到位线结构的上表面，并且通过绝缘结构彼此间隔开。第一绝缘结构设置在第一接合垫与第一位线结构之间。第一绝缘结构包括沿着第一接合垫的侧壁朝向基底延伸的侧壁。在朝向基底延伸的方向上，第一绝缘结构的侧壁变得更靠近第一位线结构的第一侧壁。
-
公开(公告)号：CN108293108A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680068696.9
申请日：2016-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N13/344 , H04N13/106 , H04N13/243
CPC classification number: G06T11/60 , G06T19/006 , H04N13/004 , H04N13/156 , H04N13/158 , H04N13/178 , H04N13/183 , H04N13/243 , H04N13/332 , H04N13/344 , H04N13/366 , H04N13/398 , H04N2013/0088
Abstract: 公开了一种用于由电子装置显示全景图像的方法。根据本公开的示例性实施例，一种用于生成全景图像的方法可以包括：通过包括在所述电子装置中的传感器感测所述电子装置的第一侧表面面向的方向；显示与所述第一侧表面的所述感测的方向相对应的所述全景图像的第一部分图像；如果关于所述第一部分图像的信息与指示所述全景图像的参考视图的参考视图信息不同，则相对于所述第一部分图像确定对应于所述参考视图信息的方向；以及提供关于所述确定的方向的信息。
-
公开(公告)号：CN110047737B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN201910025952.1
申请日：2019-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/308 , G03F7/42
Abstract: 公开了一种制造半导体器件的方法。该方法包括：在衬底上堆叠蚀刻目标层、第一掩模层、下层和光致抗蚀剂层；对光致抗蚀剂层照射极紫外(EUV)辐射，以形成光致抗蚀剂图案；以及在使用第一掩模层作为蚀刻停止层的同时，对光致抗蚀剂图案执行氮气等离子体处理，所述执行持续直到暴露第一掩模层的顶表面。在所述执行期间，下层被蚀刻以在光致抗蚀剂图案之下形成下图案。
-
公开(公告)号：CN112599415A
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：CN202010878009.8
申请日：2020-08-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/308 , H01L21/027 , H01L23/544 , G03F7/20
Abstract: 为了制造集成电路装置，在衬底上在用于形成多个芯片的第一区中和围绕第一区的第二区中形成特征层。特征层在第二区中具有台阶差部分。在特征层上，形成包括彼此堆叠的多个硬掩模层的硬掩模结构。在第一区和第二区中，形成覆盖硬掩模结构的保护层。在保护层上，形成光致抗蚀剂层。通过利用第二区中的台阶差部分作为对准标记将第一区中的光致抗蚀剂层曝光和显影来形成光致抗蚀剂图案。
-
公开(公告)号：CN110047737A
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201910025952.1
申请日：2019-01-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/027 , H01L21/308 , G03F7/42
Abstract: 公开了一种制造半导体器件的方法。该方法包括：在衬底上堆叠蚀刻目标层、第一掩模层、下层和光致抗蚀剂层；对光致抗蚀剂层照射极紫外(EUV)辐射，以形成光致抗蚀剂图案；以及在使用第一掩模层作为蚀刻停止层的同时，对光致抗蚀剂图案执行氮气等离子体处理，所述执行持续直到暴露第一掩模层的顶表面。在所述执行期间，下层被蚀刻以在光致抗蚀剂图案之下形成下图案。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
8
records
(took 0.018 seconds)
