公开(公告)号：CN105097027B

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN201510229596.7

申请日：2015-05-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张世正 ,  金经纶 ,  金男镐

IPC: G11C16/06 ,  G11C16/34

Abstract: 提供一种存储装置、存储装置的操作方法和访问存储装置的方法。所述存储装置包括非易失性存储器和控制非易失性存储器的存储器控制器。检测温度。利用温度来计算当前加权时间。利用基于当前加权时间而调整的读取电压电平从非易失性存储器读取数据。当前加权时间是在所述温度下根据从存储数据的存储器单元泄漏的电荷的量来确定的。

公开(公告)号：CN103165186A

公开(公告)日：2013-06-19

申请号：CN201210554849.4

申请日：2012-12-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 庆允英 ,  金男镐 ,  崔贤镇

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/06

CPC classification number: G11C16/3404 ,  G06F12/0246 ,  G11C5/147 ,  G11C7/04 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/10 ,  G11C29/028

Abstract: 一种对存储器件编程的方法，包括：在该存储器件的控制器处响应于第一信息确定要进入多个编程模式的第一编程模式，其中第一信息包括与温度、功耗或输入/输出工作负载关联的参数；以及在第一编程模式中使用该控制器改变该存储器件的第一编程和第二编程的编程比率。

公开(公告)号：CN103165186B

公开(公告)日：2018-09-11

申请号：CN201210554849.4

申请日：2012-12-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 庆允英 ,  金男镐 ,  崔贤镇

IPC: G11C16/10 ,  G11C16/06

Abstract: 一种对存储器件编程的方法，包括：在该存储器件的控制器处响应于第一信息确定要进入多个编程模式的第一编程模式，其中第一信息包括与温度、功耗或输入/输出工作负载关联的参数；以及在第一编程模式中使用该控制器改变该存储器件的第一编程和第二编程的编程比率。

公开(公告)号：CN105097027A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510229596.7

申请日：2015-05-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张世正 ,  金经纶 ,  金男镐

IPC: G11C16/06 ,  G11C16/34

Abstract: 提供一种存储装置、存储装置的操作方法和访问存储装置的方法。所述存储装置包括非易失性存储器和控制非易失性存储器的存储器控制器。检测温度。利用温度来计算当前加权时间。利用基于当前加权时间而调整的读取电压电平从非易失性存储器读取数据。当前加权时间是在所述温度下根据从存储数据的存储器单元泄漏的电荷的量来确定的。