公开(公告)号：CN1551246A

公开(公告)日：2004-12-01

申请号：CN200410044556.7

申请日：2004-05-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卢昌镐 ,  金珍咏

IPC: G12B17/02 ,  H05K9/00 ,  G09F9/00 ,  H01J9/20

CPC classification number: H05K3/185 ,  C25D5/022 ,  Y10S977/70

Abstract: 本发明公开一种形成高导电性金属图形的方法，以及采用利用该方法形成的金属图形的电磁干扰滤波器(EMI)。该方法包括以下步骤：(i)将光催化化合物涂敷到一衬底上以形成一光催化膜，(ii)选择性地曝光该光催化膜以形成用作晶体生长的核的特征图形，以及(iii)镀该特征图形以便在其上生长金属晶体。该EMI滤波器包括该金属图形。与传统方法相比，根据本发明的方法，可以快速和有效地形成高导电性的金属布线图形。此外，包括所述金属图形的EMI滤波器不仅表现出优异的性能而且在降低制造成本和简化制造工艺方面具有优势。因此，该EMI滤波器可以广泛应用于平板显示装置，例如等离子体显示面板(PDP)。