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发明公开
控制非易失性存储器装置的存储控制器的操作方法审中-实审

公开(公告)号：CN112650443A

公开(公告)日：2021-04-13

申请号：CN202011007655.3

申请日：2020-09-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金娟智 , 徐荣德 , 金燦河 , 卢羌镐 , 吴玄教 , 李熙元

IPC: G06F3/06 , G06F11/10 , G06N20/00

Abstract: 公开一种控制非易失性存储器装置的存储控制器的操作方法。所述方法包括：在初始驱动时段，收集指示非易失性存储器装置的第一存储器区域的劣化因素的第一参数和指示在第一存储器区域发生的劣化的程度的第二参数；基于第一参数和第二参数选择多个函数模型中的第一函数模型，并且基于第一函数模型来预测第一存储器区域的第一错误趋势；基于第一错误趋势来确定第一可靠性间隔；以及基于第一可靠性间隔对非易失性存储器装置的第一存储器区域执行第一可靠性操作。

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