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公开(公告)号：CN119965165A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202411581386.X
申请日：2024-11-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/498 , H10B80/00
Abstract: 提供了半导体封装件及其制造方法。该半导体封装件包括第一衬底、在第一衬底的上表面上的第一半导体芯片、第一衬底和第一半导体芯片之间的第一凸块、填充第一衬底和第一半导体芯片之间的空间的中心部分的第一底部填充层、以及覆盖第一半导体芯片的上表面和侧表面并填充第一衬底与第一半导体芯片之间的空间的外围部分的第一模制构件，其中，在第一衬底和第一半导体芯片之间的空间中由第一模制构件占据的体积大于在第一衬底和第一半导体芯片之间的空间中由第一底部填充层占据的体积。
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