公开(公告)号：CN118201354A

公开(公告)日：2024-06-14

申请号：CN202311571669.1

申请日：2023-11-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 千广熙 ,  权赫宇 ,  金汶浚 ,  金圣渊 ,  崔允硕

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种集成电路器件，包括：衬底，其具有由器件隔离沟槽限定的多个有源区；器件隔离结构，其包括蚀刻诱导膜并填充器件隔离沟槽，蚀刻诱导膜覆盖器件隔离沟槽底表面；字线沟槽，其与多个有源区和器件隔离结构相交并其在第一横向方向上延伸；栅极电介质膜，其覆盖字线沟槽的内壁；以及字线，其填充字线沟槽的位于栅极电介质膜上的部分，其中，多个有源区中的每个有源区包括在字线下方的鳍主体部分和从鳍主体部分向字线突出的鞍形鳍部分，并且蚀刻诱导膜通过字线沟槽被暴露。

公开(公告)号：CN117917950A

公开(公告)日：2024-04-23

申请号：CN202311329628.1

申请日：2023-10-13

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 权赫宇 ,  金汶浚 ,  李准原 ,  崔允硕

IPC: H10N97/00 ,  H10B12/00 ,  H01L23/64

Abstract: 一种电容器结构包括：下电极结构，具有位于基板上的下电极和包括电极图案的电极结构，该电极图案沿与基板的上表面实质上垂直的竖直方向堆叠在下电极上；介电图案，接触下电极结构；以及上电极，接触介电图案。

公开(公告)号：CN119833510A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202410924382.0

申请日：2024-07-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李相旼 ,  黄连进 ,  金汶浚 ,  金益秀 ,  李准原 ,  崔允硕

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L21/762

Abstract: 提供了一种集成电路器件及其制造方法。该集成电路器件包括：衬底，具有多个有源区；位线，在衬底上在平行于衬底的上表面的水平方向上延伸；直接接触，电连接到所述多个有源区的第一有源区并且电连接到位线；接触插塞，电连接到所述多个有源区的与第一有源区相邻的第二有源区；以及外绝缘间隔物，在位线和接触插塞之间并且在垂直于衬底的上表面的垂直方向上与位线重叠。外绝缘间隔物包括掺有金属元素的掺杂区。

公开(公告)号：CN112086347A

公开(公告)日：2020-12-15

申请号：CN202010122476.8

申请日：2020-02-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李承宪 ,  金汶浚 ,  高在康 ,  韩太钟

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/67

Abstract: 提供了使用热可分解层制造半导体器件的方法、半导体制造装置和半导体器件。所述方法包括：在衬底上形成蚀刻目标层；在所述蚀刻目标层上形成彼此间隔开的热可分解图案；形成至少覆盖所述热可分解图案的侧壁的第一掩模图案；和通过加热方法去除所述热可分解图案以暴露所述第一掩模图案的侧壁。