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公开(公告)号：CN114914240A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202111344437.3
申请日：2021-11-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 公开了半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：第一有源图案和第二有源图案；包括第一半导体图案的第一沟道图案；包括第二半导体图案的第二沟道图案；第一沟道图案和第二沟道图案上的栅电极；以及栅电极与第一沟道图案和第二沟道图案之间的栅介电层。所述栅电极包括：第一半导体图案之间的第一内栅电极；第二半导体图案之间的第二内栅电极；以及第一半导体图案和第二半导体图案外部的外栅电极。所述第一内栅电极和所述第二内栅电极在最上方第一半导体图案和最上方第二半导体图案的底表面上。所述外栅电极在所述最上方第一半导体图案和所述最上方第二半导体图案的顶表面和侧壁上。所述第一内栅电极和所述第二内栅电极具有不同的功函数。
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