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发明公开
半导体器件审中-实审

公开(公告)号：CN114664825A

公开(公告)日：2022-06-24

申请号：CN202111457413.9

申请日：2021-12-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成洙 , 金柱汉 , 安圭焕 , 金益秀 , 白宗玟

IPC: H01L27/092 , H01L21/8238

Abstract: 一种半导体器件包括：设置在衬底上的第一有源图案；填充限定第一有源图案的沟槽的器件隔离层；设置在第一有源图案上的第一沟道图案和第一源极/漏极图案，其中第一沟道图案包括被堆叠并彼此间隔开的半导体图案；延伸并跨越第一沟道图案的栅电极；设置在第一沟道图案和栅电极之间的栅极电介质层；以及设置在器件隔离层和第一有源图案的第一侧壁之间的第一钝化图案。第一钝化图案包括从器件隔离层向上突出的上部和掩埋在器件隔离层中的下部。栅极电介质层覆盖第一钝化图案的上部。

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