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公开(公告)号：CN1249446A
公开(公告)日：2000-04-05
申请号：CN99104944.6
申请日：1999-04-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03B29/00
CPC classification number: G01N23/04
Abstract: 一种X射线断层摄影系统包括平台、X－射线源、图像放大器、视图选择器和照相机。视图选择器包括棱镜和用来将棱镜调整到使图像放大器图像投射平面上一定区域的图像可被照相机接收的位置上的调整部分。调整部分包括沿图像放大器圆周方向转动棱镜的第一电机,和在垂直于图像放大器径向的方向上转动棱镜的第二电机。故可以图像投射平面上任意区域的图像。且由于照相机接收的图像的光轴与照相机垂直而不会发生图像变形。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113013184B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202011186699.7
申请日：2020-11-02
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种图像传感器包括：衬底，具有第一表面和相对的第二表面，并且包括分别具有光电转换区域的单位像素；半导体图案，设置在限定单位像素的第一沟槽中，半导体图案包括设置在第一沟槽的内表面上的第一半导体层和设置在第一半导体层上的第二半导体层；以及第一接触部，设置在第二表面上并连接到半导体图案。第一半导体层距第一沟槽的底表面的高度小于第二半导体层距第一沟槽的底表面的高度。
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公开(公告)号：CN113013184A
公开(公告)日：2021-06-22
申请号：CN202011186699.7
申请日：2020-11-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括：衬底，具有第一表面和相对的第二表面，并且包括分别具有光电转换区域的单位像素；半导体图案，设置在限定单位像素的第一沟槽中，半导体图案包括设置在第一沟槽的内表面上的第一半导体层和设置在第一半导体层上的第二半导体层；以及第一接触部，设置在第二表面上并连接到半导体图案。第一半导体层距第一沟槽的底表面的高度小于第二半导体层距第一沟槽的底表面的高度。
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公开(公告)号：CN115799280A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211079156.4
申请日：2022-09-05
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器包括：衬底，其包括第一区和包围第一区的第二区；衬底中的感光元件；感光元件上的平坦化层；包括滤色器的滤色器阵列层，其在衬底的第一区上的平坦化层上；光阻挡金属图案，其在衬底的第二区上的平坦化层上；伪滤色器层，其在第二区的邻近于衬底的第一区的一部分的光阻挡金属图案上；以及滤色器阵列层上的微透镜。有源像素在第一区中，光学黑(OB)像素在第二区中。
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公开(公告)号：CN1126990C
公开(公告)日：2003-11-05
申请号：CN99104944.6
申请日：1999-04-06
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G01N23/04
Abstract: 本发明公开了一种X射线断层摄影系统。该系统包括平台、X-射线源、图像放大器、视图选择器和照相机。视图选择器包括棱镜和用来将棱镜调整到使图像放大器图像投射平面上一定区域的图像可被照相机接收的位置上的调整部分。调整部分包括沿图像放大器圆周方向转动棱镜的第一电机，和在垂直于图像放大器径向的方向上转动棱镜的第二电机。故可以图像投射平面上任意区域的图像。且由于照相机接收的图像的光轴与照相机垂直而不会发生图像变形。
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公开(公告)号：CN1240948A
公开(公告)日：2000-01-12
申请号：CN99104171.2
申请日：1999-03-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03B42/02 , G01N23/083
Abstract: 一采用层析X－射线照相系统并通过对先前获取的截面图像数据进行计算获取图像的方法,其不需将物体移动,或反复在物体上照射。其步骤为:获得物体参考截面图像,获得物体其他截面假想过渡截面图像,得到假想过渡截面图像的中心点。通过合成假想过渡截面图像以便在中心点D聚焦并平均,得到物体另外截面的图像。其可迅速获得物体的多个截面图像,适于医院的CT扫描,印刷电路板,电子元件,和机械零件的检测过程采用。
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