公开(公告)号：CN119562515A

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202411048278.6

申请日：2024-08-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金承默 ,  李基硕 ,  金根楠 ,  李泓浚

IPC: H10B12/00

Abstract: 一种半导体装置，包括：位于衬底的单元区中的第一栅极结构，其中，衬底包括外围电路区；位于衬底的单元区上的位线结构；位于位线结构上的单元电容器结构；位于衬底的外围电路区上的去耦电容器结构；以及位于去耦电容器结构上的第二栅极结构。

公开(公告)号：CN118785703A

公开(公告)日：2024-10-15

申请号：CN202311480601.2

申请日：2023-11-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李泓濬 ,  金根楠 ,  金承默 ,  李基硕

IPC: H10B12/00 ,  H01L23/528

Abstract: 一种半导体器件，包括：半导体衬底，具有单元区域和外围区域，外围区域包括彼此相邻的第一区域和第二区域；第一晶体管，在第一区域上；第一布线层，在第一晶体管上；第一焊盘，在第二区域和第一区域的一部分上；第一接触插塞，在第一布线层和第一区域之间；第二接触插塞，在第一焊盘和第一区域之间；第二焊盘，在第一布线层上；第三接触插塞，在第二焊盘和第一布线层之间；以及多个第一电容器，在第二焊盘上，并且与第一晶体管竖直地重叠，因此可以提高半导体器件的可靠性和电特性。