公开(公告)号：CN110600471B

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN201910249427.8

申请日：2019-03-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全庸淏 ,  金廷炫 ,  明成禹 ,  吴怜默 ,  李东锡

IPC: H10D84/83 ,  H01L21/764 ,  H10D84/03

Abstract: 提供了一种半导体器件。半导体器件包括从衬底突出的沟道区。半导体器件包括沟道区上的栅极线。此外，半导体器件包括位于栅极线的第一部分和栅极线的第二部分之间的栅极隔离层。栅极隔离层与栅极线接触并且包括在栅极隔离层中的间隙。还提供了制造半导体器件的相关方法。

公开(公告)号：CN110581129B

公开(公告)日：2024-01-16

申请号：CN201910119597.4

申请日：2019-02-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全庸淏 ,  朴钟撤 ,  明成禹 ,  金廷炫

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件可以包括：多个有源区域，在基板上在第一方向上延伸；第一栅极结构和第二栅极结构，在第一方向上彼此间隔开并在基板上在交叉所述多个有源区域的第二方向上延伸；层间绝缘层，覆盖在第一栅极结构和第二栅极结构周围；以及栅极间切割层，在第一方向上穿过第一栅极结构和第二栅极结构以及层间绝缘层，该栅极间切割层包括绝缘材料，其中第一栅极结构和第二栅极结构由栅极间切割层切割，其中在切割第一栅极结构和第二栅极结构的区域处的栅极间切割层的底表面的水平面低于层间绝缘层中的栅极间切割层的底表面的水平面。

公开(公告)号：CN110600471A

公开(公告)日：2019-12-20

申请号：CN201910249427.8

申请日：2019-03-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全庸淏 ,  金廷炫 ,  明成禹 ,  吴怜默 ,  李东锡

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/764 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供了一种半导体器件。半导体器件包括从衬底突出的沟道区。半导体器件包括沟道区上的栅极线。此外，半导体器件包括位于栅极线的第一部分和栅极线的第二部分之间的栅极隔离层。栅极隔离层与栅极线接触并且包括在栅极隔离层中的间隙。还提供了制造半导体器件的相关方法。

公开(公告)号：CN110581129A

公开(公告)日：2019-12-17

申请号：CN201910119597.4

申请日：2019-02-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 全庸淏 ,  朴钟撤 ,  明成禹 ,  金廷炫

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件可以包括：多个有源区域，在基板上在第一方向上延伸；第一栅极结构和第二栅极结构，在第一方向上彼此间隔开并在基板上在交叉所述多个有源区域的第二方向上延伸；层间绝缘层，覆盖在第一栅极结构和第二栅极结构周围；以及栅极间切割层，在第一方向上穿过第一栅极结构和第二栅极结构以及层间绝缘层，该栅极间切割层包括绝缘材料，其中第一栅极结构和第二栅极结构由栅极间切割层切割，其中在切割第一栅极结构和第二栅极结构的区域处的栅极间切割层的底表面的水平面低于层间绝缘层中的栅极间切割层的底表面的水平面。