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公开(公告)号：CN115731991A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202210546470.2
申请日：2022-05-18
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储装置、存储控制器以及存储控制器的操作方法，所述存储装置包括：非易失性存储器，包括多个存储器块；和存储控制器，包括历史缓冲器，历史缓冲器包括与所述多个存储器块对应的多个历史读取电平存储区域。存储控制器在存储装置的运行时间期间基于所述多个存储器块的可靠性来动态地调整分配给所述多个存储器块中的一个或多个存储器块的历史读取电平存储区域的数量。存储控制器增加分配给所述多个存储器块之中的第一存储器块的历史读取电平存储区域的数量，第一存储器块相对于所述多个存储器块中的其余存储器块的可靠性具有相对低的可靠性。
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