公开(公告)号：CN1495478A

公开(公告)日：2004-05-12

申请号：CN03164805.3

申请日：2003-09-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白范基 ,  崔权永 ,  李荣埈 ,  姜奉周 ,  林承泽 ,  孔香植 ,  金垣炷

IPC: G02F1/133 ,  H01L21/00 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G03F7/00

CPC classification number: G02F1/13458 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136236 ,  G02F2001/13629 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908

Abstract: 在衬底上形成栅极线。依次淀积栅极绝缘层，本征a－Si层，非本征a－Si层，Cr构成的下膜，和含Al金属构成的上膜。在上膜上形成光刻胶，光刻胶在布线区域上具有较厚的第一部分，在沟道区域上具有较薄的第二部分。湿蚀刻在其余区域上的上膜，与光刻胶的第二部分一起干蚀刻其余区域上的下膜和a－Si层。除去沟道区域上的上膜、下膜、和非本征a－Si层。用湿蚀刻除去沟道区域上的上膜和下膜，除去沟道区域上的上膜后，再除去光刻胶的第一部分。

公开(公告)号：CN100465704C

公开(公告)日：2009-03-04

申请号：CN03164805.3

申请日：2003-09-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 白范基 ,  崔权永 ,  李荣埈 ,  姜奉周 ,  林承泽 ,  孔香植 ,  金垣炷

IPC: G02F1/133 ,  H01L21/00 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G03F7/00

CPC classification number: G02F1/13458 ,  G02F1/13439 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/136236 ,  G02F2001/13629 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908

Abstract: 在衬底上形成栅极线。依次淀积栅极绝缘层，本征a-Si层，非本征a-Si层，Cr构成的下膜，和含Al金属构成的上膜。在上膜上形成光刻胶，光刻胶在布线区域上具有较厚的第一部分，在沟道区域上具有较薄的第二部分。湿蚀刻在其余区域上的上膜，与光刻胶的第二部分一起干蚀刻其余区域上的下膜和a-Si层。除去沟道区域上的上膜、下膜、和非本征a-Si层。用湿蚀刻除去沟道区域上的上膜和下膜，除去沟道区域上的上膜后，再除去光刻胶的第一部分。