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公开(公告)号：CN101996680B
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：CN201010260550.9
申请日：2010-08-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5628 , G11C16/3418 , G11C2211/5648
Abstract: 一种对包括N比特多电平单元(MLC)存储单元的非易失性存储器编程的方法包括：使用递增步长脉冲编程(ISPP)方法执行第一至第(N-1)页编程操作，以将第一至第(N-1)数据页编程在该MLC存储单元中，其中第一至第(N-1)页编程操作的每一个包括该MLC存储单元当中的擦除单元的擦除编程。该方法还包括使用该ISPP方法执行第N页编程操作，以将第N数据页编程在该MLC存储单元中。
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公开(公告)号：CN101996680A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010260550.9
申请日：2010-08-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5628 , G11C16/3418 , G11C2211/5648
Abstract: 一种对包括N比特多电平单元(MLC)存储单元的非易失性存储器编程的方法包括：使用递增步长脉冲编程(ISPP)方法执行第一至第(N-1)页编程操作，以将第一至第(N-1)数据页编程在该MLC存储单元中，其中第一至第(N-1)页编程操作的每一个包括该MLC存储单元当中的擦除单元的擦除编程。该方法还包括使用该ISPP方法执行第N页编程操作，以将第N数据页编程在该MLC存储单元中。
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公开(公告)号：CN101996681B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201010260571.0
申请日：2010-08-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5628 , G11C16/10 , G11C16/3454
Abstract: 一种对包括N比特多电平单元(MLC)存储单元的非易失性存储器编程的方法包括：对该MLC存储单元执行递增步长脉冲编程(ISPP)操作，其中该ISPP操作包括第一至第N页编程操作的编程序列，其中N是2或更大的整数。该编程序列还包括在第(N-1)页编程操作之后且在第N页编程操作之前执行的擦除编程，其中该擦除页编程增大该MLC存储单元当中的擦除单元的阈值电压分布。
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公开(公告)号：CN101996681A
公开(公告)日：2011-03-30
申请号：CN201010260571.0
申请日：2010-08-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5628 , G11C16/10 , G11C16/3454
Abstract: 一种对包括N比特多电平单元(MLC)存储单元的非易失性存储器编程的方法包括：对该MLC存储单元执行递增步长脉冲编程(ISPP)操作，其中该ISPP操作包括第一至第N页编程操作的编程序列，其中N是2或更大的整数。该编程序列还包括在第(N-1)页编程操作之后且在第N页编程操作之前执行的擦除编程，其中该擦除页编程增大该MLC存储单元当中的擦除单元的阈值电压分布。
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