公开(公告)号：CN110098188B

公开(公告)日：2024-09-06

申请号：CN201811582198.3

申请日：2018-12-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李雄燮 ,  俞炳瓘 ,  郭宰佑

IPC: H10B41/00 ,  H10B41/35 ,  H10B41/27 ,  H10B43/00 ,  H10B43/35 ,  H10B43/27

Abstract: 公开了半导体装置，所述半导体装置包括：基底；第一栅极结构，包括竖直堆叠在基底上的第一栅电极；第一沟道，穿透第一栅极结构以接触基底；第二栅极结构，包括位于第一栅极结构上的沟道连接层和位于沟道连接层上的第二栅电极；第二沟道，穿透第二栅极结构以接触第一沟道；以及分隔区域，穿透第二栅极结构和第一栅极结构并且在第一方向上延伸。第二栅电极竖直堆叠在沟道连接层上。沟道连接层位于分隔区域之间并且具有与分隔区域的侧壁间隔开的至少一个侧壁。

公开(公告)号：CN110098188A

公开(公告)日：2019-08-06

申请号：CN201811582198.3

申请日：2018-12-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李雄燮 ,  俞炳瓘 ,  郭宰佑

IPC: H01L27/11517 ,  H01L27/11524 ,  H01L27/11556 ,  H01L27/11563 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582

Abstract: 公开了半导体装置，所述半导体装置包括：基底；第一栅极结构，包括竖直堆叠在基底上的第一栅电极；第一沟道，穿透第一栅极结构以接触基底；第二栅极结构，包括位于第一栅极结构上的沟道连接层和位于沟道连接层上的第二栅电极；第二沟道，穿透第二栅极结构以接触第一沟道；以及分隔区域，穿透第二栅极结构和第一栅极结构并且在第一方向上延伸。第二栅电极竖直堆叠在沟道连接层上。沟道连接层位于分隔区域之间并且具有与分隔区域的侧壁间隔开的至少一个侧壁。