公开(公告)号：CN102141650A

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN201010578730.1

申请日：2010-12-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 池晧哲 ,  金奇南 ,  邢庸宇 ,  罗敬远 ,  河镜虎 ,  朴允童 ,  裵大录 ,  卜镇权 ,  姜泌圭

IPC: G02B6/122 ,  G02B6/13 ,  G02B6/42

CPC classification number: G02B6/124 ,  G02B6/122 ,  G02B6/30 ,  G02B6/34 ,  G02B6/4214 ,  G02B2006/12104

Abstract: 本发明涉及光学器件及其制造方法。光波导和光耦合器件包括形成在体半导体衬底例如体硅衬底中的沟槽。底包层形成在沟槽中，芯区形成在底包层上。反射元件诸如分布式布拉格反射器能形成在耦合器件和/或波导器件下面。因为光学器件集成在体衬底中，所以根据硅光电子技术，光学器件能容易地在芯片或管芯上与其它器件集成。具体地，例如，光学器件能集成在DRAM存储器电路芯片管芯中。

公开(公告)号：CN1858914A

公开(公告)日：2006-11-08

申请号：CN200510125139.X

申请日：2005-11-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘永燮 ,  吴正焕 ,  邢庸宇 ,  林宪亨

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/146 ,  H01L21/336 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L27/14645 ,  H01L27/14621 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14627 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14685 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/14689

Abstract: CMOS图像传感器内包括图像转移晶体管。该图像转移晶体管包括：半导体沟道区，是第一导电型的；以及导电栅，位于该半导体沟道区上。还设置了栅绝缘区。该栅绝缘区在该半导体沟道区与该导电栅之间延伸。该栅绝缘区包括：氮化绝缘层，延伸到与导电栅的界面；以及基本无氮绝缘层，延伸到与半导体沟道区的界面。该氮化绝缘层可以是氮氧化硅(SiON)层。

公开(公告)号：CN102141650B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201010578730.1

申请日：2010-12-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 池晧哲 ,  金奇南 ,  邢庸宇 ,  罗敬远 ,  河镜虎 ,  朴允童 ,  裵大录 ,  卜镇权 ,  姜泌圭

IPC: G02B6/122 ,  G02B6/13 ,  G02B6/42

CPC classification number: G02B6/124 ,  G02B6/122 ,  G02B6/30 ,  G02B6/34 ,  G02B6/4214 ,  G02B2006/12104

Abstract: 本发明涉及光学器件及其制造方法。光波导和光耦合器件包括形成在体半导体衬底例如体硅衬底中的沟槽。底包层形成在沟槽中，芯区形成在底包层上。反射元件诸如分布式布拉格反射器能形成在耦合器件和/或波导器件下面。因为光学器件集成在体衬底中，所以根据硅光电子技术，光学器件能容易地在芯片或管芯上与其它器件集成。具体地，例如，光学器件能集成在DRAM存储器电路芯片管芯中。

公开(公告)号：CN1873987A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200610089977.0

申请日：2006-05-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金敬锡 ,  邢庸宇 ,  朴栽永 ,  李铉德 ,  任基彬 ,  李昱烈 ,  李高银 ,  金永镇 ,  南硕祐

IPC: H01L27/108 ,  H01L27/102 ,  H01L27/02 ,  H01L27/00 ,  H01L29/94 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/82 ,  H01L21/02 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L28/75 ,  H01L27/10814 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/90

Abstract: 在具有半导体－绝缘体－金属(SIM)结构的电容器中，可以将上电极形成为包括多晶半导体族IV材料的多层结构。介质层可包括金属氧化物，以及下电极可包括基于金属的材料。因此，电容器可以具有足够小的等效氧化物厚度(EOT)和/或可具有改进的电流漏泄特性。

公开(公告)号：CN1767171A

公开(公告)日：2006-05-03

申请号：CN200510099582.4

申请日：2005-09-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘永燮 ,  朴栽永 ,  李铉德 ,  任基彬 ,  申元湜 ,  邢庸宇 ,  林宪亨 ,  张源准 ,  南硕祐

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L28/91

Abstract: 通过在第一结构上淀积金属氧化物材料以及退火该淀积的金属氧化物材料，在第一结构上形成刻蚀停止层。在刻蚀停止层上形成第二结构，以及使用刻蚀停止层作为刻蚀停止，通过第二结构刻蚀形成部分。