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公开(公告)号：CN116469428A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310076591.X
申请日：2023-01-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/10
Abstract: 提供一种非易失性存储器装置及其高速缓存读取方法，所述非易失性存储器装置包括多个页缓冲器单元和高速缓存锁存器，每个页缓冲器单元具有感测锁存器和感测节点线。所述方法包括：使用所述多个页缓冲器单元中的第一页缓冲器单元的第一感测节点线和第一感测锁存器对选择的存储器单元执行第一片上谷搜索(OVS)读取；将从选择的存储器单元感测的第一数据存储在第一感测锁存器中，第一数据基于第一OVS读取的结果；将第一数据转储到所述多个页缓冲器单元之中的除第一页缓冲器单元之外的至少一个页缓冲器单元的感测节点线；以及使用第一感测锁存器对选择的存储器单元执行第二OVS读取。
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