公开(公告)号：CN105765741A

公开(公告)日：2016-07-13

申请号：CN201480065440.3

申请日：2014-10-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐软瑀 ,  金定燮 ,  崔荣进 ,  丹尼斯·桑尼科夫 ,  成汉珪 ,  千大明 ,  许在赫

IPC: H01L33/20

CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/24

Abstract: 本发明的一个实施例提供了一种纳米结构半导体发光器件，其包括：基础层，其由第一导电类型的半导体构成；绝缘层，其形成在基础层上并且具有暴露出基础层的部分区域的多个开口；纳米核，其形成在基础层的暴露的区域中的每一个上，由第一导电类型的半导体构成，并且具有晶面与其侧表面的晶面不同的上端部分；在纳米核的表面上接连形成的有源层和第二导电类型的半导体层；以及电流阻挡中间层，其形成在纳米核的上端部分上，以位于有源层与纳米核之间。

公开(公告)号：CN105280761A

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201510266211.4

申请日：2015-05-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 千大明 ,  延智慧 ,  许在赫 ,  琴现圣 ,  成汉珪 ,  崔荣进

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/22 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/24 ,  H01L33/007 ,  H01L33/08 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32

Abstract: 本发明提供了一种用于制造半导体发光器件的方法，该方法可包括步骤：形成具有暴露出基本层的一些部分的多个开口的掩模层和模型层；形成多个第一导电类型的半导体芯，每个第一导电类型的半导体芯包括从基本层延伸穿过每个开口的主体部分和设置在主体部分上并具有圆锥形状的末端部分；以及在所述多个第一导电类型的半导体芯中的每一个上形成有源层和第二导电类型的半导体层。形成所述多个第一导电类型的半导体芯的步骤可包括步骤：形成第一区域，以使得末端部分的顶点位于主体部分的中心竖直轴线上；去除模型层；以及在第一区域上形成额外生长区域，以使得主体部分具有六棱柱形状。

公开(公告)号：CN105765741B

公开(公告)日：2018-07-24

申请号：CN201480065440.3

申请日：2014-10-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐软瑀 ,  金定燮 ,  崔荣进 ,  丹尼斯·桑尼科夫 ,  成汉珪 ,  千大明 ,  许在赫

IPC: H01L33/20

CPC classification number: H01L33/08 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/24

Abstract: 本发明的一个实施例提供了一种纳米结构半导体发光器件，其包括：基础层，其由第一导电类型的半导体构成；绝缘层，其形成在基础层上并且具有暴露出基础层的部分区域的多个开口；纳米核，其形成在基础层的暴露的区域中的每一个上，由第一导电类型的半导体构成，并且具有晶面与其侧表面的晶面不同的上端部分；在纳米核的表面上接连形成的有源层和第二导电类型的半导体层；以及电流阻挡中间层，其形成在纳米核的上端部分上，以位于有源层与纳米核之间。

公开(公告)号：CN105280761B

公开(公告)日：2018-04-17

申请号：CN201510266211.4

申请日：2015-05-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 千大明 ,  延智慧 ,  许在赫 ,  琴现圣 ,  成汉珪 ,  崔荣进

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/22 ,  H01L33/24 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/24 ,  H01L33/007 ,  H01L33/08 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供了一种用于制造半导体发光器件的方法，该方法可包括步骤：形成具有暴露出基本层的一些部分的多个开口的掩模层和模型层；形成多个第一导电类型的半导体芯，每个第一导电类型的半导体芯包括从基本层延伸穿过每个开口的主体部分和设置在主体部分上并具有圆锥形状的末端部分；以及在所述多个第一导电类型的半导体芯中的每一个上形成有源层和第二导电类型的半导体层。形成所述多个第一导电类型的半导体芯的步骤可包括步骤：形成第一区域，以使得末端部分的顶点位于主体部分的中心竖直轴线上；去除模型层；以及在第一区域上形成额外生长区域，以使得主体部分具有六棱柱形状。

公开(公告)号：CN103426988A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201310189914.2

申请日：2013-05-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄京旭 ,  柳建旭 ,  车南求 ,  许在赫 ,  成汉珪 ,  郑薰在

IPC: H01L33/24 ,  H01L33/38

CPC classification number: H01L33/16 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y99/00 ,  H01L33/08 ,  H01L33/24 ,  H01L33/38 ,  H01L33/405 ,  Y10S977/762

Abstract: 本发明提供了一种半导体发光器件，该半导体发光器件包括：衬底和在衬底上彼此间隔的纳米结构。纳米结构包括第一导电类型半导体层芯、有源层和第二导电类型半导体层。填充物填充纳米结构之间的空间并且形成为低于多个纳米结构。电极形成为覆盖纳米结构的上部和纳米结构的部分侧面并且电连接至第二导电类型半导体层。