公开(公告)号：CN102299136B

公开(公告)日：2016-03-02

申请号：CN201110154632.X

申请日：2011-06-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文光辰 ,  朴炳律 ,  林东灿 ,  郑德泳 ,  崔吉铉 ,  裵大录 ,  姜泌圭

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L23/481 ,  H01L23/528 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括通路结构和导电结构。通路结构具有一表面，该表面具有平坦部分和突起部分。导电结构形成在通路结构的平坦部分的至少一部分上且不形成在通路结构的突起部分的至少一部分上。例如，导电结构仅形成在平坦部分上而不形成在突起部分的任何部分上，以形成导电结构与通路结构之间的高质量连接。

公开(公告)号：CN102141650A

公开(公告)日：2011-08-03

申请号：CN201010578730.1

申请日：2010-12-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 池晧哲 ,  金奇南 ,  邢庸宇 ,  罗敬远 ,  河镜虎 ,  朴允童 ,  裵大录 ,  卜镇权 ,  姜泌圭

IPC: G02B6/122 ,  G02B6/13 ,  G02B6/42

CPC classification number: G02B6/124 ,  G02B6/122 ,  G02B6/30 ,  G02B6/34 ,  G02B6/4214 ,  G02B2006/12104

Abstract: 本发明涉及光学器件及其制造方法。光波导和光耦合器件包括形成在体半导体衬底例如体硅衬底中的沟槽。底包层形成在沟槽中，芯区形成在底包层上。反射元件诸如分布式布拉格反射器能形成在耦合器件和/或波导器件下面。因为光学器件集成在体衬底中，所以根据硅光电子技术，光学器件能容易地在芯片或管芯上与其它器件集成。具体地，例如，光学器件能集成在DRAM存储器电路芯片管芯中。

公开(公告)号：CN102141650B

公开(公告)日：2016-06-01

申请号：CN201010578730.1

申请日：2010-12-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 池晧哲 ,  金奇南 ,  邢庸宇 ,  罗敬远 ,  河镜虎 ,  朴允童 ,  裵大录 ,  卜镇权 ,  姜泌圭

IPC: G02B6/122 ,  G02B6/13 ,  G02B6/42

CPC classification number: G02B6/124 ,  G02B6/122 ,  G02B6/30 ,  G02B6/34 ,  G02B6/4214 ,  G02B2006/12104

Abstract: 本发明涉及光学器件及其制造方法。光波导和光耦合器件包括形成在体半导体衬底例如体硅衬底中的沟槽。底包层形成在沟槽中，芯区形成在底包层上。反射元件诸如分布式布拉格反射器能形成在耦合器件和/或波导器件下面。因为光学器件集成在体衬底中，所以根据硅光电子技术，光学器件能容易地在芯片或管芯上与其它器件集成。具体地，例如，光学器件能集成在DRAM存储器电路芯片管芯中。

公开(公告)号：CN102299136A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN201110154632.X

申请日：2011-06-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 文光辰 ,  朴炳律 ,  林东灿 ,  郑德泳 ,  崔吉铉 ,  裵大录 ,  姜泌圭

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L23/481 ,  H01L23/528 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括通路结构和导电结构。通路结构具有一表面，该表面具有平坦部分和突起部分。导电结构形成在通路结构的平坦部分的至少一部分上且不形成在通路结构的突起部分的至少一部分上。例如，导电结构仅形成在平坦部分上而不形成在突起部分的任何部分上，以形成导电结构与通路结构之间的高质量连接。