-
公开(公告)号:CN100382231C
公开(公告)日:2008-04-16
申请号:CN200410007021.2
申请日:2004-02-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67017 , H01L21/67772 , Y10S414/14
Abstract: 公开了一种用于制造半导体器件的设备和方法。根据本发明,用于将晶片从晶片存储容器传送到晶片处理设备的晶片传送装置包括用来减小可能进入晶片容器的杂质量的流动室。该晶片传送设备提供用于允许两种气体流过传送设备的流动室的两个气体入口。这些导致减小能进入晶片容器的杂质的数量,依次导致用更可靠的性能特征以及高制造成品率制造器件。
-
公开(公告)号:CN1525529A
公开(公告)日:2004-09-01
申请号:CN200410007021.2
申请日:2004-02-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67017 , H01L21/67772 , Y10S414/14
Abstract: 公开了一种用于制造半导体器件的设备和方法。根据本发明,用于将晶片从晶片存储容器传送到晶片处理设备的晶片传送装置包括用来减小可能进入晶片容器的杂质量的流动室。该晶片传送设备提供用于允许两种气体流过传送设备的流动室的两个气体入口。这些导致减小能进入晶片容器的杂质的数量,依次导致用更可靠的性能特征以及高制造成品率制造器件。
-