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公开(公告)号：CN116171047A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202211471229.4
申请日：2022-11-23
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 南甲镇 , 具奉珍 , 穆沙拉特.哈桑 , 朴建柱 , 河龙湖
IPC: H10B51/30
Abstract: 根据本发明构思的一种铁电存储器件包括：具有源极/漏极区的基板；在基板上的界面层；在界面层上的高介电层；在高介电层上的铁电层；以及在铁电层上的栅电极层。高介电层和铁电层具有不同晶体结构的相。
