公开(公告)号：CN1412847A

公开(公告)日：2003-04-23

申请号：CN02132147.7

申请日：2002-09-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金东煜 ,  柳寅儆 ,  石重铉 ,  李俊冀

IPC: H01L27/00 ,  G11C11/14

CPC classification number: H01L27/228 ,  B82Y10/00

Abstract: 本发明公开了一种单晶体管型磁随机存取存储器及其操作和制造方法。该单晶体管型磁随机存取存储器包括衬底、第一和第二掺杂区、栅极介电层、磁隧穿结、字线、位线和绝缘层。第一和第二掺杂区通过将掺杂剂注入到半导体衬底中形成且彼此隔离。栅极介电层形成在半导体衬底的第一和第二掺杂区之间的部分上。磁隧穿结形成在栅极介电层上。字线形成在MTJ上，并在与第二掺杂区相同方向的第一方向上延伸。位线在垂直于第一方向的第二方向上连接至第一掺杂区。绝缘层覆盖栅极介电层、MTJ和字线，以将栅极介电层、MTJ和字线与位线绝缘开。第一和第二掺杂区、栅极介电层和MTJ构成单晶体管。

公开(公告)号：CN1208833C

公开(公告)日：2005-06-29

申请号：CN02132147.7

申请日：2002-09-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金东煜 ,  柳寅儆 ,  石重铉 ,  李俊冀

IPC: H01L27/00 ,  G11C11/14

CPC classification number: H01L27/228 ,  B82Y10/00

Abstract: 本发明公开了一种单晶体管型磁随机存取存储器及其操作和制造方法。该单晶体管型磁随机存取存储器包括衬底、第一和第二掺杂区、栅极介电层、磁隧穿结、字线、位线和绝缘层。第一和第二掺杂区通过将掺杂剂注入到半导体衬底中形成且彼此隔离。栅极介电层形成在半导体衬底的第一和第二掺杂区之间的部分上。磁隧穿结形成在栅极介电层上。字线形成在MTJ上，并在与第二掺杂区相同方向的第一方向上延伸。位线在垂直于第一方向的第二方向上连接至第一掺杂区。绝缘层覆盖栅极介电层、MTJ和字线，以将栅极介电层、MTJ和字线与位线绝缘开。第一和第二掺杂区、栅极介电层和MTJ构成单晶体管。