存储装置、存储器系统及它们的操作方法

    公开(公告)号:CN105895161B

    公开(公告)日:2020-11-06

    申请号:CN201610087796.8

    申请日:2016-02-16

    Inventor: 郑云在 申韩臣

    Abstract: 本发明公开了一种用于操作NAND闪速存储器系统的方法,温度感测装置检测NAND闪速存储器系统的温度降低至第一阈温度水平以下,并且时钟控制单元响应于检测到温度降低至第一阈温度水平以下调整存储器存取操作的操作条件。

    包括能够进行重写操作的存储装置的存储系统的操作方法

    公开(公告)号:CN105843553B

    公开(公告)日:2020-06-09

    申请号:CN201610073259.8

    申请日:2016-02-02

    Abstract: 提供了包括能够进行重写操作的存储装置的存储系统的操作方法。该方法包括:接收一个或更多个写入请求、逻辑地址和与所述一个或更多个写入请求对应的数据;将分析接收到的一个或更多个请求、逻辑地址和数据中的至少一者的结果与阈值进行比较;基于比较的结果,利用第一更新方法或者第二更新方法写入数据。在选择了第一更新方法时,根据地址映射信息将数据写入到由与逻辑地址对应的物理地址指示的区域中。在选择了第二更新方法时,改变与逻辑地址对应的物理地址的信息,并将数据写入到由改变后的物理地址指示的区域中。

    设计集成电路的方法,以及制造集成电路的方法

    公开(公告)号:CN108959693A

    公开(公告)日:2018-12-07

    申请号:CN201810461072.4

    申请日:2018-05-15

    Abstract: 一种制造集成电路(IC)的方法包括通过对布局数据执行DRC来从所述IC的布局数据检测多边形之间的连通性并提取布局网表。所述DRC包括加载包含DRC语法的规则文件。所述方法包括对所提取的布局网表和所述IC的原理图数据执行LVS验证以生成LVS结果数据。所述方法包括根据基于布局数据和LVS结果数据的布局来制造IC。

    设计集成电路的方法,以及制造集成电路的方法

    公开(公告)号:CN108959693B

    公开(公告)日:2023-08-11

    申请号:CN201810461072.4

    申请日:2018-05-15

    Abstract: 一种制造集成电路(IC)的方法包括通过对布局数据执行DRC来从所述IC的布局数据检测多边形之间的连通性并提取布局网表。所述DRC包括加载包含DRC语法的规则文件。所述方法包括对所提取的布局网表和所述IC的原理图数据执行LVS验证以生成LVS结果数据。所述方法包括根据基于布局数据和LVS结果数据的布局来制造IC。

    存储装置、存储器系统及它们的操作方法

    公开(公告)号:CN105895161A

    公开(公告)日:2016-08-24

    申请号:CN201610087796.8

    申请日:2016-02-16

    Inventor: 郑云在 申韩臣

    Abstract: 本发明公开了一种用于操作NAND闪速存储器系统的方法,温度感测装置检测NAND闪速存储器系统的温度降低至第一阈温度水平以下,并且时钟控制单元响应于检测到温度降低至第一阈温度水平以下调整存储器存取操作的操作条件。

    包括能够进行重写操作的存储装置的存储系统的操作方法

    公开(公告)号:CN105843553A

    公开(公告)日:2016-08-10

    申请号:CN201610073259.8

    申请日:2016-02-02

    Abstract: 提供了包括能够进行重写操作的存储装置的存储系统的操作方法。该方法包括:接收一个或更多个写入请求、逻辑地址和与所述一个或更多个写入请求对应的数据;将分析接收到的一个或更多个请求、逻辑地址和数据中的至少一者的结果与阈值进行比较;基于比较的结果,利用第一更新方法或者第二更新方法写入数据。在选择了第一更新方法时,根据地址映射信息将数据写入到由与逻辑地址对应的物理地址指示的区域中。在选择了第二更新方法时,改变与逻辑地址对应的物理地址的信息,并将数据写入到由改变后的物理地址指示的区域中。

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