公开(公告)号：CN111146064B

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN201910732965.2

申请日：2019-08-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金善铁 ,  李甲洙 ,  李根泳 ,  林弘泽 ,  玄政祐 ,  韩东勳

IPC: H01J37/32 ,  C23C16/02 ,  C23C16/34 ,  C23C16/44

Abstract: 公开了一种基底处理方法。在该基底处理方法中，在第一温度下执行清洗工艺，以去除通过沉积工艺沉积在腔室内的累积层的一部分(步骤1)。在第一温度下分别对位于腔室内的多个基底执行沉积工艺(步骤2)。交替地且重复地执行步骤1和步骤2。

公开(公告)号：CN111146064A

公开(公告)日：2020-05-12

申请号：CN201910732965.2

申请日：2019-08-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金善铁 ,  李甲洙 ,  李根泳 ,  林弘泽 ,  玄政祐 ,  韩东勳

IPC: H01J37/32 ,  C23C16/02 ,  C23C16/34 ,  C23C16/44

Abstract: 公开了一种基底处理方法。在该基底处理方法中，在第一温度下执行清洗工艺，以去除通过沉积工艺沉积在腔室内的累积层的一部分(步骤1)。在第一温度下分别对位于腔室内的多个基底执行沉积工艺(步骤2)。交替地且重复地执行步骤1和步骤2。