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公开(公告)号：CN110277453A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201910188527.4
申请日：2019-03-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/08 , H01L21/336 , H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 公开了一种半导体装置和一种形成半导体装置的方法。所述半导体装置包括：鳍形图案，位于基底上；至少一个栅电极，与鳍形图案交叉；源/漏区，位于鳍形图案的上表面上；以及至少一个阻挡层，位于鳍形图案中的第一鳍形图案的侧壁上，所述至少一个阻挡层延伸超过鳍形图案中的第一鳍形图案的上表面，其中，源/漏区中的位于第一鳍形图案的上表面上的第一源/漏区具有不对称的形状并且与所述至少一个阻挡层直接接触。
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公开(公告)号：CN108476249A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201680075701.9
申请日：2016-11-30
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H04M1/0266 , G02F1/167 , H04B1/3888 , H04M1/0254 , H04M1/0283 , H04M1/72527
Abstract: 根据各种实施例的附件装置包括：第一壳体；第二壳体，其具有第一开口并与第一壳体联接；电泳显示单元，其通过所述第一开口显示内容并且具有上端电极和下端电极；印刷电路板，其上安装有包括处理器的电子部件；以及天线单元，其与所述印刷电路板电连接并且从由安装结构接收的便携式装置接收数据和电力，其中，所述下端电极和所述印刷电路板的第一表面彼此接触，并且用于操作电泳显示单元的操作电压可以通过印刷电路板的第一表面而被提供。各种其他实施例也是可能的。
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公开(公告)号：CN108091653A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711171980.1
申请日：2017-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
CPC classification number: H01L27/1108 , H01L21/823821 , H01L27/0924 , H01L27/1104 , H01L27/1116 , H01L29/0649 , H01L29/785 , H01L27/092 , H01L21/823878
Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括：在基板上的第一有源图案和第二有源图案；第一栅电极和第二栅电极，分别跨过第一有源图案和第二有源图案；第一绝缘图案，在第一栅电极和第二栅电极之间并使第一栅电极和第二栅电极分隔开；栅间隔物，在第一栅电极的侧壁上、在第二栅电极的侧壁上以及在第一绝缘图案的侧壁上；以及第二绝缘图案，在栅间隔物与第一绝缘图案的侧壁之间，其中第一栅电极、第一绝缘图案和第二栅电极沿第一方向布置，并且其中栅间隔物在第一方向上延伸。
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公开(公告)号：CN107799597A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710684495.8
申请日：2017-08-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/7855 , H01L29/0611 , H01L29/0657 , H01L29/165 , H01L29/66795 , H01L29/7848 , H01L29/785 , H01L29/7854 , H01L29/42356
Abstract: 本文所述的半导体器件可以包括：鳍状图案，沿第一方向延伸，其中第一侧壁和第二侧壁彼此面对；第一和第二栅电极，沿第二方向延伸并且彼此间隔开；第一栅极侧墙，位于第一栅电极的侧壁上；第二栅极侧墙，位于第二栅电极的侧壁上；鳍状图案中的第一沟槽，位于第一栅电极和第二栅电极之间并且具有第一宽度；以及鳍状图案中的第二沟槽，位于第一沟槽下方并且具有小于第一宽度的第二宽度。鳍状图案可以包括位于鳍状图案的侧壁上的第一拐点和第二拐点，并且第二沟槽的底部表面可以低于所述拐点。
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公开(公告)号：CN103810792B
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201310559691.4
申请日：2013-11-12
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 洪承秀
IPC: G07F15/00
CPC classification number: G01R31/3606 , H02J7/0021 , H02J7/0047 , H02J7/007 , H02J2007/005
Abstract: 用于处理电源状态的方法和支持该方法的终端，其中所述终端包括：电源，配置为供应特定的电力；充电器IC，配置为收集从充电器传输至电源的电源信息；计量IC，配置为收集电源的充电信息，并且基于由充电器IC传输的电源信息来产生计量信息，以显示对电源的充电状态加以表示的燃料计；控制单元，配置为基于由计量IC传输的计量信息来显示燃料计；以及显示单元，配置为显示燃料计。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110277453B
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN201910188527.4
申请日：2019-03-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L29/08 , H01L21/336 , H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 公开了一种半导体装置和一种形成半导体装置的方法。所述半导体装置包括：鳍形图案，位于基底上；至少一个栅电极，与鳍形图案交叉；源/漏区，位于鳍形图案的上表面上；以及至少一个阻挡层，位于鳍形图案中的第一鳍形图案的侧壁上，所述至少一个阻挡层延伸超过鳍形图案中的第一鳍形图案的上表面，其中，源/漏区中的位于第一鳍形图案的上表面上的第一源/漏区具有不对称的形状并且与所述至少一个阻挡层直接接触。
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公开(公告)号：CN108091653B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201711171980.1
申请日：2017-11-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238
Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括：在基板上的第一有源图案和第二有源图案；第一栅电极和第二栅电极，分别跨过第一有源图案和第二有源图案；第一绝缘图案，在第一栅电极和第二栅电极之间并使第一栅电极和第二栅电极分隔开；栅间隔物，在第一栅电极的侧壁上、在第二栅电极的侧壁上以及在第一绝缘图案的侧壁上；以及第二绝缘图案，在栅间隔物与第一绝缘图案的侧壁之间，其中第一栅电极、第一绝缘图案和第二栅电极沿第一方向布置，并且其中栅间隔物在第一方向上延伸。
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公开(公告)号：CN107799597B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN201710684495.8
申请日：2017-08-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/423
Abstract: 本文所述的半导体器件可以包括：鳍状图案，沿第一方向延伸，其中第一侧壁和第二侧壁彼此面对；第一和第二栅电极，沿第二方向延伸并且彼此间隔开；第一栅极侧墙，位于第一栅电极的侧壁上；第二栅极侧墙，位于第二栅电极的侧壁上；鳍状图案中的第一沟槽，位于第一栅电极和第二栅电极之间并且具有第一宽度；以及鳍状图案中的第二沟槽，位于第一沟槽下方并且具有小于第一宽度的第二宽度。鳍状图案可以包括位于鳍状图案的侧壁上的第一拐点和第二拐点，并且第二沟槽的底部表面可以低于所述拐点。
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公开(公告)号：CN106993262B
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN201710041868.X
申请日：2017-01-20
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 洪承秀
Abstract: 公开了一种电子设备以及在电子设备中进行的短程无线通信的方法。操作电子设备的方法可包括：当遮盖物通过短程无线通信连接被连接至电子设备时，确定与所述遮盖物相关的事件的生成。该方法还包括：当事件被生成时，通过无线通信向遮盖物供应电力；当遮盖物被所供应的电力驱动时，通过短程无线通信连接向遮盖物发送事件信息，以在遮盖物上显示与所生成的事件相关的信息；以及当遮盖物的根据事件的操作完成时，在释放与遮盖物的短程无线通信连接之后切换至待机模式。
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公开(公告)号：CN110491931A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201910384996.3
申请日：2019-05-09
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 半导体装置具有：在衬底上的由隔离图案限定的有源鳍，每个有源鳍沿第一方向延伸，并且有源鳍沿与第一方向交叉的第二方向彼此间隔开；栅电极，其在有源鳍和隔离图案上沿第二方向延伸；以及隔离结构，其在第二方向上彼此相邻的有源鳍之间的隔离图案的一部分上。隔离结构包括：具有第一材料的第一图案和具有与第一材料不同的第二材料的第二图案。第二图案覆盖第一图案的下表面和下侧表面，但不覆盖第一图案的上侧表面。
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