公开(公告)号：CN102083196A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN201010566410.4

申请日：2010-11-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹栽根 ,  郑贤旭 ,  严濬亨 ,  沈圣勋 ,  洪性珉 ,  郑法澈

IPC: H04W56/00

CPC classification number: G06F13/405

Abstract: 本发明示例实施例涉及带宽同步电路和带宽同步方法。带宽同步电路包括扩大器和同步降低单元。扩大器包括根据第一时钟操作的同步打包器和同步解包器。同步降低单元连接到扩大器，并且响应于频率低于第一时钟频率的第二时钟，对扩大器的数据执行同步降低操作。

公开(公告)号：CN119673256A

公开(公告)日：2025-03-21

申请号：CN202410791617.3

申请日：2024-06-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 沈圣勋

IPC: G11C17/18 ,  G11C17/14

Abstract: 一种电子设备包括：一次性可编程(OTP)存储器单元，其包括编程晶体管和读取晶体管；以及高电压传输设备，其被配置为将外部高电压电平移位到内部电压，其中所述高电压传输设备包括第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、使能电路，所述第一PMOS晶体管具有连接到外部高电压端子的第一端，所述第二PMOS晶体管具有连接到所述第一PMOS晶体管的第二端的第一端和连接到所述编程晶体管的栅极的第二端，所述使能电路被配置为接收使能信号并生成所述第二PMOS晶体管的栅极电压，以及电平移位器，其通过反馈路径连接到所述使能电路，并且被配置为基于通过所述反馈路径提供的所述第二PMOS晶体管的栅极电压来生成所述第一PMOS晶体管的栅极电压。

公开(公告)号：CN102083196B

公开(公告)日：2015-07-08

申请号：CN201010566410.4

申请日：2010-11-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹栽根 ,  郑贤旭 ,  严濬亨 ,  沈圣勋 ,  洪性珉 ,  郑法澈

IPC: H04W56/00

CPC classification number: G06F13/405

Abstract: 本发明示例实施例涉及带宽同步电路和带宽同步方法。带宽同步电路包括扩大器和同步降低单元。扩大器包括根据第一时钟操作的同步打包器和同步解包器。同步降低单元连接到扩大器，并且响应于频率低于第一时钟频率的第二时钟，对扩大器的数据执行同步降低操作。