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公开(公告)号:CN115223603A
公开(公告)日:2022-10-21
申请号:CN202210408651.9
申请日:2022-04-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 提供了一种存储装置、操作存储装置的方法和提供多个性能表的方法。该存储装置包括:至少一个非易失性存储器装置;第一温度传感器和第二温度传感器,其布置为邻近至少一个非易失性存储器装置;以及控制器,其被配置为基于多个性能表、由第一温度传感器检测到的第一温度和由第二温度传感器检测到的第二温度来控制至少一个非易失性存储器装置的操作性能水平。多个性能表中的每一个包括多个条目,多个条目中的每一个包括关于至少一个非易失性存储器装置的操作性能水平的信息。多个性能表中的每一个对应于关于第一温度和第二温度的计算的结果。
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公开(公告)号:CN112103257A
公开(公告)日:2020-12-18
申请号:CN202010134175.7
申请日:2020-03-02
IPC: H01L23/31 , H01L23/367 , H01L25/07
Abstract: 提供了半导体封装件和半导体装置。所述半导体封装件包括:半导体芯片;和聚二甲基硅氧烷(PDMS)层,所述聚二甲基硅氧烷层设置在所述半导体芯片上,所述聚二甲基硅氧烷层的上表面暴露于外部。由于半导体封装件可以包括PDMS层,所以半导体封装件在真空状态下的散热性能可以改善。
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