公开(公告)号：CN111063734A

公开(公告)日：2020-04-24

申请号：CN201910432864.3

申请日：2019-05-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东镇 ,  金奉秀 ,  金志永 ,  柳虎林

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了一种半导体装置。该半导体装置包括：基底，包括第一区域和第二区域；埋入栅极结构，位于基底的第一区域中的第一凹部上；以及凹入栅极结构，位于基底的第二区域中的第二凹部上，其中，埋入栅极结构埋在基底中，凹入栅极结构的上部不埋在基底中，埋入栅极结构中的第一功函数调节层可以包括与凹入栅极结构的第二功函数调节层中包括的材料相同的材料。

公开(公告)号：CN111063734B

公开(公告)日：2024-08-06

申请号：CN201910432864.3

申请日：2019-05-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李东镇 ,  金奉秀 ,  金志永 ,  柳虎林

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 提供了一种半导体装置。该半导体装置包括：基底，包括第一区域和第二区域；埋入栅极结构，位于基底的第一区域中的第一凹部上；以及凹入栅极结构，位于基底的第二区域中的第二凹部上，其中，埋入栅极结构埋在基底中，凹入栅极结构的上部不埋在基底中，埋入栅极结构中的第一功函数调节层可以包括与凹入栅极结构的第二功函数调节层中包括的材料相同的材料。