公开(公告)号：CN113161342A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN202110006177.2

申请日：2021-01-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林哲焕 ,  金光镐 ,  许栋勋

IPC: H01L27/02

Abstract: 本公开提供半导体器件的防御电路和包括该防御电路的半导体器件。一种半导体器件包括：感测电路，包括配置为响应于外部入射光产生第一电流的第一半导体元件；补偿电路，包括配置为产生取决于环境温度的第二电流的第二半导体元件，其中补偿电路配置为从第一电流去除第二电流以产生第三电流；检测电路，配置为将第三电流转换为光电压并将光电压与预定的参考电压比较以确定是否已经发生外部攻击；以及防御电路，配置为基于确定结果来控制半导体器件执行预定的防御操作。

公开(公告)号：CN113161342B

公开(公告)日：2024-11-22

申请号：CN202110006177.2

申请日：2021-01-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林哲焕 ,  金光镐 ,  许栋勋

IPC: H01L27/02

Abstract: 本公开提供半导体器件的防御电路和包括该防御电路的半导体器件。一种半导体器件包括：感测电路，包括配置为响应于外部入射光产生第一电流的第一半导体元件；补偿电路，包括配置为产生取决于环境温度的第二电流的第二半导体元件，其中补偿电路配置为从第一电流去除第二电流以产生第三电流；检测电路，配置为将第三电流转换为光电压并将光电压与预定的参考电压比较以确定是否已经发生外部攻击；以及防御电路，配置为基于确定结果来控制半导体器件执行预定的防御操作。

公开(公告)号：CN117784873A

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN202311153835.6

申请日：2023-09-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 林哲焕 ,  吕焕硕

IPC: G05F1/567

Abstract: 本申请提供了与绝对温度成比例的电流生成装置以及包括其的电子装置。该与绝对温度成比例的电流生成装置包括：差分差值放大器(DDA)，其基于参考电压、第一电压和第二电压输出比较信号；电流源，其基于比较信号生成第一电流和第二电流；与绝对温度成比例的电压(VPTAT)生成单元，其基于第一电流生成第一电压；以及与绝对温度互补的电压(VCTAT)生成单元，其基于第二电流生成第二电压。第一电流和第二电流中的每一者是与绝对温度成比例的电流，该与绝对温度成比例的电流与绝对温度成比例的电流生成装置的温度成比例地增大。

公开(公告)号：CN116779017A

公开(公告)日：2023-09-19

申请号：CN202310091562.0

申请日：2023-02-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许栋勋 ,  朴心灿 ,  林哲焕

IPC: G11C29/50

Abstract: 一种半导体器件可以包括：电压产生器，被配置为产生第一双极结型晶体管的第一基极‑发射极电压；以及故障检测器，被配置为通过将第一基极‑发射极电压与上限参考电压和下限参考电压进行比较来产生故障信号。故障检测器可以包括：第二双极结型晶体管；电流源，被配置为产生偏置电流；第一电阻器，耦接在电流源与第二双极结型晶体管的发射极之间以产生上限参考电压；第二电阻器和第三电阻器，被配置为对第二双极结型晶体管的第二基极‑发射极电压进行分压以产生下限参考电压；以及第一比较器和第二比较器，被配置为分别将第一基极‑发射极电压与上限参考电压和下限参考电压进行比较以产生相应的故障信号。