半导体器件
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107134454A

    公开(公告)日:2017-09-05

    申请号:CN201710107234.X

    申请日:2017-02-27

    Abstract: 根据本发明构思的示例实施方式的半导体器件可以包括:衬底;垂直于衬底的上表面延伸的源/漏区;在衬底上并且彼此分离的多个纳米片;以及在衬底上的栅电极和栅绝缘层。纳米片限定在源/漏区之间在第一方向上延伸的沟道区。栅电极围绕纳米片并且在交叉第一方向的第二方向上延伸。栅绝缘层在纳米片和栅电极之间。栅电极在第一方向上的长度可以大于纳米片中的相邻纳米片之间的间隔。

    提供多屏幕的设备和动态配置多屏幕的方法

    公开(公告)号:CN101238718B

    公开(公告)日:2012-05-30

    申请号:CN200680028821.X

    申请日:2006-08-04

    Abstract: 提供一种用于提供多屏幕的设备和用于动态配置多屏幕的方法。所述用于提供多屏幕的设备包括:数字信号处理模块,接收视频信息、音频信息或数据信息,并基于视频信息、音频信息或数据信息恢复服务;服务处理模块,产生用于显示恢复的服务的多个逻辑屏幕和覆盖屏幕;输出模块,将服务处理模块产生的多个逻辑屏幕映射到显示屏幕上的不同位置,并允许覆盖屏幕覆盖显示屏幕。

    提供多屏幕的设备和动态配置多屏幕的方法

    公开(公告)号:CN101416496A

    公开(公告)日:2009-04-22

    申请号:CN200780012401.7

    申请日:2007-04-05

    Abstract: 提供了一种用于提供多屏幕的设备和动态配置多屏幕的方法。所述用于提供多屏幕的设备能够将多屏幕连接到多个输出端口,以在单个物理显示装置上动态配置提供多个内容的多个屏幕。所述用于提供多屏幕的设备包括:服务处理模块,产生用于显示多个服务的多个逻辑屏幕;输出模块,将包括所述多个逻辑屏幕中的至少一个的逻辑屏幕组合映射到输出端口。

    半导体器件
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107134454B

    公开(公告)日:2021-01-05

    申请号:CN201710107234.X

    申请日:2017-02-27

    Abstract: 根据本发明构思的示例实施方式的半导体器件可以包括:衬底;垂直于衬底的上表面延伸的源/漏区;在衬底上并且彼此分离的多个纳米片;以及在衬底上的栅电极和栅绝缘层。纳米片限定在源/漏区之间在第一方向上延伸的沟道区。栅电极围绕纳米片并且在交叉第一方向的第二方向上延伸。栅绝缘层在纳米片和栅电极之间。栅电极在第一方向上的长度可以大于纳米片中的相邻纳米片之间的间隔。

    半导体器件
    9.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108807386A

    公开(公告)日:2018-11-13

    申请号:CN201710292148.0

    申请日:2017-04-28

    CPC classification number: H01L27/1104 H01L29/7845

    Abstract: 一种半导体器件包括:在基板上的绝缘层;在绝缘层上的沟道区;在绝缘层上的栅结构,该栅结构交叉沟道区;在绝缘层上的源/漏区,该源/漏区彼此间隔开并且栅结构插置在其间,该沟道区使源/漏区彼此连接;以及接触插塞,分别连接到源/漏区。沟道区可以包括在绝缘层上竖直地彼此间隔开的多个半导体图案,绝缘层包括分别邻近源/漏区的第一凹陷区域,以及接触插塞包括分别提供到第一凹陷区域中的下部分。

Patent Agency Ranking