公开(公告)号：CN101365290A

公开(公告)日：2009-02-11

申请号：CN200810168645.0

申请日：2008-01-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 黄盛煜 ,  李英姬 ,  申哲浩 ,  李振硕

IPC: H05H1/46 ,  H01L21/00 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/305 ,  H01J27/024 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3171 ,  H01J2237/0041 ,  H01J2237/061

Abstract: 本发明提供一种使用离子束的半导体装置。该半导体装置可包括施加电压的第一格栅。施加到第一格栅的电压可具有与施加到等离子体腔的壁部分的参考电压相同的电势电平，等离子体腔中可产生等离子体。第一格栅可毗邻等离子体。因此，第一格栅和等离子体腔的壁部分之间的电势电平差可以为零，因此等离子体可以是稳定的。