公开(公告)号：CN110491825B

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN201910059581.9

申请日：2019-01-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李耕希 ,  李睃荣

IPC: H01L21/762 ,  H10B43/27 ,  H10B43/35 ,  H01L21/67

Abstract: 公开了一种用于制造半导体装置的方法和用于半导体装置的制造设备。该用于制造半导体装置的方法包括在基底上形成下结构。下结构包括交替且重复地堆叠的第一牺牲层和第一绝缘层。在下结构中形成第一孔。第一孔使基底的上表面暴露。在第一孔中形成牺牲图案。牺牲图案的孔隙率朝向基底增加。在下结构和牺牲图案上形成上结构。上结构包括交替且重复地堆叠的第二牺牲层和第二绝缘层。在上结构中形成第二孔。第二孔使牺牲图案暴露。去除牺牲图案。

公开(公告)号：CN110491825A

公开(公告)日：2019-11-22

申请号：CN201910059581.9

申请日：2019-01-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李耕希 ,  李睃荣

IPC: H01L21/762 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11582 ,  H01L21/67

Abstract: 公开了一种用于制造半导体装置的方法和用于半导体装置的制造设备。该用于制造半导体装置的方法包括在基底上形成下结构。下结构包括交替且重复地堆叠的第一牺牲层和第一绝缘层。在下结构中形成第一孔。第一孔使基底的上表面暴露。在第一孔中形成牺牲图案。牺牲图案的孔隙率朝向基底增加。在下结构和牺牲图案上形成上结构。上结构包括交替且重复地堆叠的第二牺牲层和第二绝缘层。在上结构中形成第二孔。第二孔使牺牲图案暴露。去除牺牲图案。