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公开(公告)号:CN115207010A
公开(公告)日:2022-10-18
申请号:CN202210371330.6
申请日:2022-04-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/374
Abstract: 一种图像传感器,包括:半导体衬底,具有第一表面和与第一表面相对的第二表面;光电二极管层,位于半导体衬底里;传输栅极,位于光电二极管层上,传输栅极位于半导体衬底的第一表面上;第一沟槽,从在传输栅极的一侧的半导体衬底的第一表面凹进;第一杂质注入区,位于第一沟槽的底表面的至少一部分上,第一杂质注入区不在第一沟槽的侧壁上;以及透镜,位于半导体衬底的第二表面上。