公开(公告)号：CN118011739A

公开(公告)日：2024-05-10

申请号：CN202311481913.5

申请日：2023-11-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 裵硕钟 ,  朴强浩 ,  申文圭 ,  李明秀 ,  李昊骏

IPC: G03F7/20

Abstract: 公开了掩模曝光系统、掩模曝光方法和电子束校正方法。该掩模曝光系统包括：腔室；配置为接收掩模的载物台；一个或更多个掩模温度传感器；配置为将电子束照射在掩模上的束源；偏转器，配置为在腔室中通过基于施加到偏转器的电压电平使电子束偏转来调节电子束照射在掩模上的位置；配置为测量腔室的内部温度的腔室温度传感器；以及控制器，配置为控制电子束的偏转方向和偏转程度。控制器配置为基于掩模的温度和腔室的内部温度之间的差异来校正施加到偏转器的电压电平。

公开(公告)号：CN101482703B

公开(公告)日：2013-02-27

申请号：CN200810190345.2

申请日：2008-12-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昊骏

IPC: G03F7/20

CPC classification number: B82Y40/00 ,  B82Y10/00 ,  H01J37/3174

Abstract: 本发明提供了一种使用可变形束的曝光方法，可以在校正电路图案的设计CD的CD线性度期间，最小化临界尺寸(CD)分布和目标平均(MTT)差值，还提供了一种使用该曝光方法的图案形成方法。在曝光方法中，确定用于使电路图案曝光的射束的设计尺寸是小于特定值还是大于特定值。如果设计尺寸大于该值，则线性地校正射束的尺寸。当设计尺寸小于该值时，非线性地校正射束的尺寸。

公开(公告)号：CN101482703A

公开(公告)日：2009-07-15

申请号：CN200810190345.2

申请日：2008-12-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李昊骏

IPC: G03F7/20

CPC classification number: B82Y40/00 ,  B82Y10/00 ,  H01J37/3174

Abstract: 本发明提供了一种使用可变形束的曝光方法，可以在校正电路图案的设计CD的CD线性度期间，最小化临界尺寸(CD)分布和目标平均(MTT)差值，还提供了一种使用该曝光方法的图案形成方法。在曝光方法中，确定用于使电路图案曝光的射束的设计尺寸是小于特定值还是大于特定值。如果设计尺寸大于该值，则线性地校正射束的尺寸。当设计尺寸小于该值时，非线性地校正射束的尺寸。