公开(公告)号：CN120035120A

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202410785296.6

申请日：2024-06-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金知雄 ,  李敎旭 ,  李承勋 ,  赵槿汇

IPC: H10B10/00

Abstract: 一种半导体器件可以包括：第一下有源接触部；第一源/漏图案，在第一下有源接触部上；第二下有源接触部；第二源/漏图案，在第二下有源接触部上；下导电层，电连接到第一下有源接触部和第二下有源接触部；第三源/漏图案和第四源/漏图案，在第一源/漏图案与第二源/漏图案之间；第一上有源接触部，在第三源/漏图案上；第二上有源接触部，在第四源/漏图案上；以及上导线，电连接到第一上有源接触部和第二上有源接触部。第一源/漏图案至第四源/漏图案、第一下有源接触部和第二下有源接触部、以及第一上有源接触部和第二上有源接触部可以设置在下导电层与上导线之间。

公开(公告)号：CN117594597A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202310665406.0

申请日：2023-06-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹锡玄 ,  李敎旭 ,  李承勳 ,  朴乘汉

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/02

Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：第一单元区域和第二单元区域；基底，包括第一表面和第二表面；第一有源图案至第三有源图案，在第一单元区域中沿第一水平方向延伸，第一有源图案至第三有源图案沿第二水平方向彼此间隔开；第四有源图案，在第二单元区域中沿第一水平方向延伸，第四有源图案沿第一水平方向与第二有源图案对准；有源切口，将第二有源图案和第四有源图案分离；源极/漏极区域，在第二有源图案上；掩埋轨道，在基底的第二表面上沿第一水平方向延伸，掩埋轨道在竖直方向上与第二有源图案和第四有源图案中的每个叠置；以及源极/漏极接触件，穿透基底和第二有源图案并将源极/漏极区域连接到掩埋轨道。