-
公开(公告)号：CN113889483A
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN202110748426.5
申请日：2021-07-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11575 , H01L27/11582
Abstract: 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括：栅电极和绝缘层，在基底上彼此间隔开，并且在与基底的上表面垂直的方向上交替地堆叠；以及沟道结构，延伸穿过堆叠结构。沟道结构中的一些沟道结构包括沟道绝缘层、位于沟道绝缘层上的垫层以及沟道层。沟道层包括第一沟道区和第二沟道区，第二沟道区具有比第一沟道区的长度短的长度并且包括具有第一导电类型的杂质的半导体材料，并且垫层包括掺杂有第二导电类型杂质的半导体材料。第二沟道区的下表面的高度水平等于或低于第一擦除栅电极的下表面的高度水平。
Search Results
1
records
(took 0.022 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
