公开(公告)号：CN118284039A

公开(公告)日：2024-07-02

申请号：CN202311772870.6

申请日：2023-12-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵哲珍 ,  辛瑜暻 ,  郑昌和 ,  李志恩 ,  崔慈允

IPC: H10B12/00 ,  H10N97/00

Abstract: 一种半导体器件包括：衬底；第一电极，所述第一电极设置在所述衬底上方；多层电介质结构，所述多层电介质结构被配置为覆盖所述第一电极；以及第二电极，所述第二电极被配置为覆盖所述多层电介质结构。所述多层电介质结构包括多个电介质膜，所述多个电介质膜中的第一电介质膜包括结晶TiO2或结晶SrTiO3，并且所述多个电介质膜中的第二电介质膜与所述第一电介质膜接触并且包括具有四方晶体结构的高k电介质膜。

公开(公告)号：CN115224058A

公开(公告)日：2022-10-21

申请号：CN202210261198.3

申请日：2022-03-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔哈娜 ,  全洪贤 ,  李志恩 ,  崔元喆

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供一种图像传感器和图像感测系统。图像传感器包括像素组。像素组包括：第一滤色器；第一至第三光电二极管，其在第一滤色器下方，使得第一滤色器在垂直方向上与第一至第三光电二极管中的每一者交叠，其中，第一至第三光电二极管布置在垂直于垂直方向的第一方向上；第一至第一浮置扩散区，其分别被配置为累积由第一至第三光电二极管生成的电荷；源极跟随器晶体管，其被配置为基于在第一至第三浮置扩散区中的至少一者中累积的电荷来输出第一像素信号；以及第一金属层，其被配置为从源极跟随器晶体管接收第一像素信号，其中，第一金属层在与第一方向交叉的第二方向上延伸，其中，第一至第三浮置扩散区布置在第一方向上。