公开(公告)号：CN102024832A

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN201010276899.1

申请日：2010-09-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李廷好 ,  郑相日

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L31/0232 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14625 ,  H01L27/14629 ,  H01L27/14645 ,  H01L27/14685

Abstract: 本发明公开了一种抗反射图像传感器。提供了抗反射图像传感器及制造方法，该传感器包括：衬底；第一颜色传感像素，设置在衬底中；第二颜色传感像素，设置在衬底中；第三颜色传感像素，设置在衬底中；第一层，直接设置在第一、第二和第三颜色传感像素上；第二层，直接设置在第一层上覆盖第一、第二和第三颜色传感像素；以及第三层，直接设置在第二层的部分上覆盖第一或第二颜色传感像素的至少之一，其中第一层具有第一折射率，第二层具有大于第一折射率的第二折射率，第三层具有大于第二折射率的第三折射率。

公开(公告)号：CN117276295A

公开(公告)日：2023-12-22

申请号：CN202310732985.6

申请日：2023-06-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金汉锡 ,  成灿贤 ,  李应揆 ,  李廷好

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器包括：衬底，其具有相对的第一表面和第二表面，并且包括在第一方向上布置的第一单位像素至第三单位像素，以及在衬底中以及在第一单位像素至第三单位像素中的分离的邻近的单位像素之间并且将邻近的单位像素彼此分离的第一像素分离部分和第二像素分离部分。第一像素分离部分包括第一导电图案和覆盖第一导电图案的侧壁的第一分离绝缘图案。第二像素分离部分包括第二导电图案和覆盖第二导电图案的侧壁的第二分离绝缘图案。第一导电图案在第一方向上具有第一宽度，第二导电图案在第一方向上具有小于第一宽度的第二宽度。

公开(公告)号：CN113013184B

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202011186699.7

申请日：2020-11-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金晋永 ,  金毅烈 ,  白铉敏 ,  李廷好 ,  丁英宇 ,  郑熙根

IPC: H10F39/12 ,  H10F39/18

Abstract: 一种图像传感器包括：衬底，具有第一表面和相对的第二表面，并且包括分别具有光电转换区域的单位像素；半导体图案，设置在限定单位像素的第一沟槽中，半导体图案包括设置在第一沟槽的内表面上的第一半导体层和设置在第一半导体层上的第二半导体层；以及第一接触部，设置在第二表面上并连接到半导体图案。第一半导体层距第一沟槽的底表面的高度小于第二半导体层距第一沟槽的底表面的高度。

公开(公告)号：CN113013184A

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN202011186699.7

申请日：2020-11-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金晋永 ,  金毅烈 ,  白铉敏 ,  李廷好 ,  丁英宇 ,  郑熙根

IPC: H01L27/146

Abstract: 一种图像传感器包括：衬底，具有第一表面和相对的第二表面，并且包括分别具有光电转换区域的单位像素；半导体图案，设置在限定单位像素的第一沟槽中，半导体图案包括设置在第一沟槽的内表面上的第一半导体层和设置在第一半导体层上的第二半导体层；以及第一接触部，设置在第二表面上并连接到半导体图案。第一半导体层距第一沟槽的底表面的高度小于第二半导体层距第一沟槽的底表面的高度。